[发明专利]用于真空溅射沉积的设备及其方法

权利要求书

1.一种用于真空溅射沉积的设备(100)，包含：

真空腔室(110)；

所述真空腔室(110)内的三个或更多个溅射阴极，用于在基板(200)上溅射材料；

气体分配系统(130)，用于向所述真空腔室(110)提供包括H₂的处理气体；

真空系统(140)，用于在所述真空腔室(110)内提供真空；和

安全布置(160)，用于降低氧氢爆炸的风险，

其中所述安全布置(160)包含连接至所述真空系统(140)的稀释气体馈给单元(165)，用于稀释所述处理气体(111)的H₂含量。

2.如权利要求1所述的设备(100)，其中所述真空系统(140)具有至少一个真空泵(143)和管道(144)，所述管道(144)经构造以用于连接所述真空泵以与所述真空腔室(110)流体连通，其中所述稀释气体馈给单元(165)连接至在所述真空腔室(110)与所述真空泵(143)之间的所述管道(144)。

3.如权利要求1或2所述的设备(100)，其中所述稀释气体馈给单元(165)包含过量稀释气体测量系统(165a)，用于提供对于向所述真空系统(140)提供的所述稀释气体的过量稀释气体质量流量测量。

4.如权利要求3所述的设备(100)，其中将所述过量稀释气体测量系统(165a)连接至所述气体分配系统(130)以提供反馈控制来控制所述真空系统(140)中的H₂/稀释气体的稀释比率，其中H₂/稀释气体的所述稀释比率为至少1/5。

5.如权利要求1至4中任一项所述的设备(100)，其中所述安全布置(160)进一步包含布置在所述真空系统(140)内的压力控制单元(145)，用于测量所述真空系统(140)内的压力，其中所述压力控制单元(145)连接至所述气体分配系统(130)的过量H₂关闭系统(161)以在通过所述压力控制单元(145)而检测到所述真空系统(140)内的所述处理气体的临界压力，特别地为0.008毫巴的临界压力时关闭H₂供应。

6.如权利要求1至5中任一项所述的设备(100)，其中所述安全布置(160)进一步包含布置在所述真空腔室(110)内的过量处理气体压力测量系统(150)，其中将所述处理气体压力测量系统(150)连接至过量H₂关闭系统(161)以在检测到所述真空腔室(110)内的所述处理气体的临界压力，特别地为0.008毫巴的临界压力时关闭H₂供应。

7.如权利要求1至6中任一项所述的设备(100)，其中所述气体分配系统(130)包含过量H₂质量流量测量系统(161c)，用于提供对于向所述真空腔室(110)提供的所述H₂质量流量的过量测量。

8.如权利要求7所述的设备(100)，其中所述过量H₂质量流量测量系统(161c)布置在外壳(166)内，所述外壳(166)包含连接所述外壳(166)与外部气氛的排气管线(166a)，其中所述排气管线(166a)具备H₂传感器(167)，用于检测H₂泄漏。

9.如权利要求8所述的设备(100)，其中将所述H₂传感器(167)与过量H₂关闭系统(161)连接以在通过H₂传感器(167)检测到临界H₂泄漏时关闭H₂供应。

10.如权利要求1至9中任一项所述的设备(100)，其中所述安全布置(160)进一步包含过量处理气体测量系统(151)，用于测量所述真空腔室(110)内的所述处理气体的成分，其中将所述过量处理气体测量系统连接至过量H₂关闭系统(161)以在检测到所述真空腔室(110)内的所述处理气体的临界H₂含量时关闭H₂供应，特别地在检测到与预选H₂含量偏差1％或更多时关闭H₂供应。