[发明专利]活塞环及其制造方法

权利要求书

1.一种活塞环，其为在环状基材的表面被覆有非晶碳膜的活塞环，且其特征在于：

所述非晶碳膜是使用化学气相沉积法而成膜，且

自所述基材表面朝向膜表面交替形成有sp²键相对于sp³键的比率sp²/sp³比连续增加的增加区域以及sp²/sp³比连续减少的减少区域，并且在所述增加区域与所述减少区域的边界中sp²/sp³比连续地发生变化，由此以交替层叠的方式形成sp²/sp³比低的软质膜与sp²/sp³比高的硬质膜；以及

所述减少区域构成为与所述增加区域相比为相同数量或少1个区域。

2.根据权利要求1所述的活塞环，其特征在于：所述非晶碳膜中的氢含量在sp²/sp³比最低的部位为5原子％以上。

3.根据权利要求1或2所述的活塞环，其特征在于：所述非晶碳膜是形成于所述基材的外周滑动面与上下面。

4.一种活塞环的制造方法，其为使用化学气相沉积法来制造根据权利要求1至3中任一项所述的活塞环的活塞环的制造方法，且其特征在于：

交替配置在所述基材的温度上升的条件下进行成膜的第1工序以及在所述基材的温度下降的条件下进行成膜的第2工序，从而在所述基材上将所述非晶碳膜成膜。

5.根据权利要求4所述的活塞环的制造方法，其特征在于：所述化学气相沉积法是使用等离子体化学气相沉积装置来进行。

6.根据权利要求5所述的活塞环的制造方法，其特征在于：所述等离子体化学气相沉积装置为潘宁电离计等离子体化学气相沉积装置。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的活塞环的制造方法，其特征在于：在所述化学气相沉积法中，使多个基材的每一个在排热能力方面具有差异，由此对各基材同时形成具有不同的sp²/sp³比分布的所述非晶碳膜。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的活塞环的制造方法，其特征在于：在所述化学气相沉积法中，使基材内在排热能力方面具有差异，由此在基材内同时形成具有不同的sp²/sp³比分布的所述非晶碳膜。