[发明专利]激光腔室

说明书

抑制激光的性能恶化。激光腔室具有：第1放电电极；第2放电电极；风扇，其使激光气体向第1放电电极和第2放电电极之间的放电空间流动；第1绝缘部件，其配置在第1放电电极的激光气体流的上游侧和下游侧；第1金属缓冲部件，其配置在第2放电电极的激光气体流的上游侧；第2绝缘部件，其配置在第2放电电极的激光气体流的下游侧；以及第2金属缓冲部件，其配置在第2绝缘部件的激光气体流的下游侧，在第2金属缓冲部件和第2绝缘部件的边界部分中，第2金属缓冲部件的放电空间侧的第1表面相比于第2绝缘部件的放电空间侧的第2表面，位于与放电空间相反的一侧，第2金属缓冲部件的第2绝缘部件侧的第1侧面和第1表面所形成的第1角部可以与第2绝缘部件的第2金属缓冲部件侧的第2侧面接触。

技术领域

本公开涉及激光腔室。

背景技术

随着半导体集成电路的细微化、高集成化，要求提高半导体曝光装置的分辨率。以下将半导体曝光装置简称为“曝光装置”。因此，从曝光用光源输出的光的短波长化得到发展。在曝光用光源中代替以往的水银灯而使用了气体激光装置。当前，作为曝光用的气体激光装置，使用输出波长为248nm的紫外线的KrF准分子激光装置以及输出波长为193nm的紫外线的ArF准分子激光装置。

作为当前的曝光技术，如下的液浸曝光已经实用化：利用液体填满曝光装置侧的投影透镜和晶片之间的间隙，通过改变该间隙的折射率而使曝光用光源的表现波长变短。在使用ArF准分子激光装置作为曝光用光源来进行液浸曝光的情况下，对晶片照射水中的波长为134nm的紫外光。将该技术称作ArF液浸曝光。ArF液浸曝光也被称作ArF浸液光刻。

KrF、ArF准分子激光装置的自然振荡中的光谱线宽大约宽至350～400pm，因此，通过曝光装置侧的投影透镜在晶片上缩小投影的激光(紫外线光)产生色像差，分辨率降低。因此，需要使从气体激光装置输出的激光的光谱线宽窄带化至能够无视色像差的程度。光谱线宽也被称作光谱宽度。因此，在气体激光装置的激光谐振器内设置具有窄带元件的窄带模块(Line Narrowing Module：LNM)，通过该窄带模块实现光谱宽度的窄带化。另外，窄带元件可以是标准具、光栅等。这样，将使光谱宽度窄带化后的激光装置称作窄带激光装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-229137号

专利文献2：日本特开2006-148016号

专利文献3：美国专利6914919号

专利文献4：日本特表2005-502210号

专利文献5：美国专利6639929号

专利文献6：日本特开2003-60270号

专利文献7：日本特开2007-208183号

发明内容

本公开的1个方面的激光腔室是放电激励式气体激光装置的激光腔室，可以是，其具有：第1放电电极，其配置在所述激光腔室内；第2放电电极，其在所述激光腔室内与所述第1放电电极对置地配置；风扇，其使激光气体向第1放电电极和第2放电电极之间的放电空间流动；第1绝缘部件，其配置在第1放电电极的激光气体流的上游侧和下游侧；第1金属缓冲部件，其配置在第2放电电极的激光气体流的上游侧；第2绝缘部件，其配置在第2放电电极的激光气体流的下游侧；以及第2金属缓冲部件，其配置在第2绝缘部件的激光气体流的下游侧，在第2金属缓冲部件和第2绝缘部件的边界部分中，第2金属缓冲部件的放电空间侧的第1表面相比于第2绝缘部件的放电空间侧的第2表面，位于与放电空间相反的一侧，第2金属缓冲部件的第2绝缘部件侧的第1侧面和所述第1表面所形成的第1角部与第2绝缘部件的第2金属缓冲部件侧的第2侧面接触。