[发明专利]磁共振成像机有效

专利信息
申请号: 201580081425.2 申请日: 2015-11-06
公开(公告)号: CN107835658B 公开(公告)日: 2022-03-15
发明(设计)人: A·P·斯洛博占亚克;A·N·波杜布内;P·A·别洛夫 申请(专利权)人: 圣彼得堡国立信息技术机械与光学大学
主分类号: A61B5/055 分类号: A61B5/055;H01Q15/00
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 亓云;钱孟清
地址: 俄罗斯*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 磁共振 成像
【权利要求书】:

1.一种以超材料形式提供的电磁场放大器,所述超材料被配置成耦合至具有一波长的射频RF信号,所述超材料包括:

一组彼此绝缘的有利地定向延伸的导体,其中所述一组延伸的导体的相应长度的平均值满足在所述波长的0.4到0.6倍之间的要求,其中所述一组延伸的导体中的每一者具有相应的横截面尺寸,并且所述相应的横截面尺寸的平均值满足在所述波长的0.00001到0.01倍之间的要求,其中所述一组延伸的导体之间的距离的平均值满足在所述波长的0.001到0.1倍之间的要求,

其中所述一组延伸的导体由非磁性金属材料来制造,其中所述超材料的至少一部分被定位在电介质材料内部,其中所述电介质材料的平均介质磁导率Ɛ满足:60Ɛ100。

2.如权利要求1所述的电磁场放大器,其特征在于,所述一组延伸的导体基本上彼此平行地布置。

3.如权利要求1或2所述的电磁场放大器,其特征在于,所述一组延伸的导体中的毗邻延伸导体在与所述毗邻延伸导体的相应长度横向的方向上间隔开。

4.如权利要求1或2所述的电磁场放大器,其特征在于,所述一组延伸的导体的端部分被布置成被冷却。

5.如权利要求1或2所述的电磁场放大器,其特征在于,所述一组延伸的导体被布置在基本上平坦的表面上。

6.如权利要求1或2所述的电磁场放大器,其特征在于,所述一组延伸的导体被布置在基本上圆柱形的表面上。

7.一种用于对对象成像的磁共振成像系统,所述系统包括:

布置成接收所述对象的成像区域;

具有一波长的射频RF信号的发生器;以及

根据权利要求1到6中任一项所述的电磁场放大器,其耦合至所述RF信号。

8.一种用于对对象成像的方法,所述方法包括:

提供以超材料形式提供的电磁场放大器,所述超材料被配置成耦合至具有一波长的射频RF信号,其中所述超材料包括:

一组彼此绝缘的有利地定向延伸的导体,其中所述一组延伸的导体的相应长度的平均值满足在所述波长的0.4到0.6倍之间的要求,其中所述一组延伸的导体中的每一者具有相应的横截面尺寸,并且所述相应的横截面尺寸的平均值满足在所述波长的0.00001到0.01倍之间的要求,其中所述一组延伸的导体之间的距离的平均值满足在所述波长的0.001到0.1倍之间的要求,

其中所述一组延伸的导体由非磁性金属材料来制造,其中所述超材料的至少一部分被定位在电介质材料内部,其中所述电介质材料的平均介质磁导率Ɛ满足:60Ɛ100;其中所述方法进一步包括:

将所述对象放置成使得所述电磁场放大器在所述对象与所述RF信号的发生器之间,其中所述RF信号包括RF磁场分量和RF电场分量;

在所述对象中产生磁场;

用所述RF信号辐射所述对象;

接收来自所述对象的返回RF信号;

从所述返回RF信号获得所述对象的图像。

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