[发明专利]制作半导体X射线检测器的方法

权利要求书

1.一种制作适合于检测X射线的装置的方法，所述方法包括：

获取包括X射线吸收层的晶片；

获取衬底，所述衬底的表面导电；

使所述晶片附着到所述表面；

使所述X射线吸收层变薄；

在所述X射线吸收层中形成电触点；

使电子层接合到所述X射线吸收层使得所述X射线吸收层的电触点电连接到所述电子层的电触点。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底未从所述晶片去除。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底对于X射线具有小于1000m2/kg的质量衰减系数。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述衬底包括硅、玻璃、二氧化硅、Al、Cr、Ti或其组合。

5.如权利要求1所述的方法，其中变薄包括使所述X射线吸收层的厚度减少到200微米或更少。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述X射线吸收层包括GaAs。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述GaAs未掺杂铬。

8.如权利要求1所述的方法，其中使所述晶片附着到所述表面包括将金属层沉积到所述X射线吸收层。

9.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述X射线吸收层形成二极管。

10.如权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述X射线吸收层上形成离散电触点。

11.如权利要求1所述的方法，其中所述X射线吸收层的电触点包括延伸到所述X射线吸收层内的结构。

12.一种制作适合于检测X射线的装置的方法，所述方法包括：

获取包括牺牲衬底和在所述牺牲衬底上的X射线吸收层的晶片；

其中，所述X射线吸收层包括第二掺杂区，并且，所述第二掺杂区和所述牺牲衬底位于所述X射线吸收层的同一侧；

获取衬底，所述衬底的表面导电；

使所述晶片附着到所述表面；

通过去除所述牺牲衬底来暴露所述第二掺杂区；

在所述第二掺杂区上形成电触点；

将电子层接合到所述X射线吸收层，使得所述第二掺杂区的电触点电连接到所述电子层的电触点。

13.如权利要求12所述的方法，所述晶片进一步包括在所述牺牲衬底与所述第二掺杂区之间的蚀刻停止层。

14.如权利要求12所述的方法，所述晶片进一步包括本征区，其中所述本征区和所述牺牲衬底夹入了所述第二掺杂区。

15.如权利要求14所述的方法，其中所述本征区具有小于200微米的厚度。

16.如权利要求12所述的方法，所述晶片进一步包括轻掺杂区，其中所述轻掺杂区和所述牺牲衬底夹入了所述第二掺杂区。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述轻掺杂区具有小于200微米的厚度。

18.如权利要求12所述的方法，其中所述第二掺杂区是外延层。

19.如权利要求12所述的方法，所述晶片进一步包括第一掺杂区，其中所述第二掺杂区夹在所述第一掺杂区与所述牺牲衬底之间。

20.如权利要求19所述的方法，其中所述第一掺杂区被重掺杂。

21.如权利要求19所述的方法，其中所述第一掺杂区是外延层。