[发明专利]驱动电路、半导体装置在审

专利信息
申请号: 201580081184.1 申请日: 2015-06-22
公开(公告)号: CN107710616A 公开(公告)日: 2018-02-16
发明(设计)人: 外园和也;山本晃央;王东 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H03K17/12 分类号: H03K17/12;H02M1/00;H02M1/08
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 何立波,张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 驱动 电路 半导体 装置
【说明书】:

技术领域

本发明涉及对多个半导体开关元件进行控制的驱动电路及具备该驱动电路的半导体装置。

背景技术

专利文献1中公开了一种对半导体开关元件的镜像电压进行检测,对栅极电压进行控制的技术。在上述技术中,在半导体开关元件导通时增强栅极电压而加速导通动作,在截止时对镜像时间进行调整,从而使半导体开关元件的并联连接变得容易。

在专利文献2中,作为防止半导体开关元件劣化的方法而公开了如下方法,即,抑制在半导体开关元件流动的过电流。具体而言,通过对半导体开关元件的栅极电压进行限制,从而抑制可能在半导体开关元件流动的短路电流。

专利文献1:日本特开平11-262243号公报

专利文献2:日本特开2009-71956号公报

发明内容

为了使输出电流增大,有时将IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)等多个半导体开关元件并联连接。此时,优选并联连接的多个半导体开关元件同时导通,同时截止。然而,有时多个半导体开关元件的Vth会存在波动,或对多个半导体开关元件在不同的定时(timing)供给栅极驱动信号。

如果与其它的半导体开关元件相比某半导体开关元件提前导通,则电流集中在该“某半导体开关元件”。另外,如果与其它的半导体开关元件相比某半导体开关元件延迟截止,则电流集中在该“某半导体开关元件”。关于这样的电流的不均衡,输出电流的容量越大,电流的不均衡越显著,对半导体开关元件的损伤变大。

在专利文献1中存在如下问题,即,由于每个半导体开关元件都需要检测栅极电压的电路及进行控制的电路,因此如果并联连接的半导体开关元件的数量增加,则控制变得复杂。另外,由于并联连接的半导体开关元件的栅极配线是共用的,所以还存在栅极振荡的问题。

如果将专利文献2所公开的驱动电路针对并联连接的每个半导体开关元件进行设置,则存在对多个半导体开关元件供给的栅极驱动信号的定时产生波动的问题。

如上所述,针对由于多个并联连接的半导体开关元件的通断定时发生波动,而使电流集中在特定的半导体开关元件的问题,迄今为止没有进行充分的研究。

本发明就是为了解决上述问题而提出的,其目的在于提供一种在并联连接的多个半导体开关元件的通断时,能够抑制在特定的半导体开关元件流动大电流这一情况的驱动电路及半导体装置。

本发明涉及的驱动电路的特征在于,具备:1个恒压电路,其生成第1电压和第2电压;第1输出电路,其与该恒压电路连接,被输入该第1电压及该第2电压,被输入栅极驱动信号;第2输出电路,其与该恒压电路连接,被输入该第1电压及该第2电压,被输入该栅极驱动信号;第1端子,其与该第1输出电路的输出连接;以及第2端子,其与该第2输出电路的输出连接,该第1输出电路在该栅极驱动信号上升时以预先规定的第1期间对该第1端子施加该第1电压,在经过该第1期间后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第1端子,在该栅极驱动信号下降时以预先规定的第2期间对该第1端子施加该第2电压,该第2输出电路在该栅极驱动信号上升时以该第1期间对该第2端子施加该第1电压,在经过该第1期间后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该第2端子,在该栅极驱动信号下降时以该第2期间对该第2端子施加该第2电压。

本发明涉及的半导体装置的特征在于,具备:1个恒压电路,其生成第1电压和第2电压;多个输出电路,其与该恒压电路连接,被输入该第1电压及该第2电压,被输入栅极驱动信号;多个端子,其与该多个输出电路的输出连接;以及并联连接的多个半导体开关元件,其与该多个端子连接,该多个输出电路在该栅极驱动信号上升时以预先规定的第1期间对该多个端子施加该第1电压,在经过该第1期间后提高该栅极驱动信号的电压而施加于该多个端子,在该栅极驱动信号下降时以预先规定的第2期间对该多个端子施加该第2电压。

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