[发明专利]用于形成相同管芯上的具有变化的沟道材料的晶体管的技术

权利要求书

1.一种集成电路，包括：

包括衬底半导体材料的衬底；

包括第一沟道材料的第一晶体管，所述第一沟道材料在所述衬底上并且包括与所述衬底半导体材料不同且接触的第一半导体材料；以及

包括第二沟道材料的第二晶体管，所述第二沟道材料在所述衬底上并且包括与所述第一半导体材料不同并且与所述衬底半导体材料不同且接触的第二半导体材料；

包括第三沟道材料的第三晶体管，所述第三沟道材料在所述衬底上并且包括与所述第一和第二半导体材料不同并且与所述衬底半导体材料不同且接触的第三半导体材料，其中所述衬底是块状硅（Si），所述第二半导体材料包括硅锗（SiGe）或III-V材料中的一个，并且所述第三半导体材料包括SiGe或III-V材料中的另一个；

其中所述第二半导体材料与所述衬底半导体材料之间的界面是基本上平面的，因为所述界面是非刻面化的并且基本上没有无定形化和结晶损坏。

2.根据权利要求1所述的集成电路，其中所述第一半导体材料包括硅（Si）。

3.根据权利要求1所述的集成电路，其中第二晶体管包括形成在所述第二半导体材料中的源极/漏极区。

4.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一和第二晶体管中的至少一个包括包含与沟道材料不同的材料的源极和漏极区。

5.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一和第二晶体管中的每一个是各自具有三个栅极的基于翅片的场效应晶体管（FinFET）。

6.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一和第二晶体管中的至少一个具有纳米线或纳米带配置。

7.根据权利要求1所述的集成电路，其中第一和第二晶体管中的至少一个具有平面配置。

8.一种互补金属氧化物半导体（CMOS）器件，包括根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路。

9.一种计算系统，包括根据权利要求1-7中的任一项所述的集成电路。

10.一种集成电路，包括：

块状硅衬底；

从衬底延伸且与所述衬底的块状硅接触的第一翅片；以及

与所述第一翅片相邻的第二翅片，所述第二翅片从衬底延伸且与所述衬底的块状硅接触，其中所述第一翅片和所述第二翅片包括锗或III-V半导体材料中的一个；

从所述衬底延伸且与所述衬底的块状硅接触的第三翅片；以及

与所述第三翅片相邻的第四翅片，其中所述第三翅片和所述第四翅片包括锗或III-V半导体材料中的另一个；

其中所述第一翅片和所述衬底之间的第一界面与所述第二翅片与所述衬底之间的第二界面是共面的，其中所述第一界面和所述第二界面是非刻面化的并且基本上没有无定形化和结晶损坏，因为所述第一界面和所述第二界面具有少于10000个缺陷/线性cm，以及

其中所述第三翅片和所述衬底之间的第三界面与所述第四翅片与所述衬底之间的第四界面是共面的，其中所述第三界面和所述第四界面是非刻面化的并且基本上没有无定形化和结晶损坏，因为所述第三界面和所述第四界面具有少于10000个缺陷/线性cm。

11.根据权利要求10所述的集成电路，还包括：

形成在第一翅片上的第一晶体管；以及

形成在第二翅片上的第二晶体管。

12.根据权利要求10所述的集成电路，还包括：

包含由第一翅片形成的沟道区的第一晶体管；以及

包含由第二翅片形成的沟道区的第二晶体管。

13.根据权利要求11-12中的任一项所述的集成电路，其中第一晶体管是p-MOS晶体管，并且第二晶体管是n-MOS晶体管。