[发明专利]使用具有交替的导电线的库单元的集成电路布局有效
申请号: | 201580080324.3 | 申请日: | 2015-06-24 |
公开(公告)号: | CN107660309B | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | D·W·纳尔逊;P·莫罗;S·M·伯恩斯 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;G06F30/39 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 陈松涛;王英 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 使用 具有 交替 导电 单元 集成电路 布局 | ||
1.一种集成电路装置,包括:
集成电路的集成电路布局的第一单元;
所述集成电路布局的第二单元,所述第二单元与所述第一单元相邻并位于所述第一单元下方;
位于所述第一单元中的第一多个导电线,所述第一多个导电线的第一部分的导电线具有在相距所述第二单元第一距离的位置处的线端部,其中,所述第一部分的导电线包括所述第一多个导电线中的交替导电线;以及
位于所述第二单元中的第二多个导电线,所述第二多个导电线平行于所述第一单元中的所述第一多个导电线并与所述第一单元中的所述第一多个导电线竖直地对准,所述第二多个导电线的第二部分具有在相距所述第一单元第二距离的位置处的线端部,
其中,所述第一距离比所述第二距离短,其中,所述第二部分的导电线包括所述第二多个导电线中的交替导电线,并且
其中,第一通孔被设置在所述第一部分的导电线中的特定导电线中且与所述第一部分的导电线中的所述特定导电线的线端部相邻,第二通孔被设置在所述第二部分的导电线中的特定导电线中且与所述第二部分的导电线中的所述特定导电线的线端部相邻,所述第一部分的导电线中的所述特定导电线与所述第二部分的导电线中的所述特定导电线竖直地对准,并且所述第一通孔与所述第二通孔相邻。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述第一部分的导电线包括所述第一多个导电线中的每隔一个导电线。
3.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述第一部分的导电线包括所述第一多个导电线中的偶数编号的导电线。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述第一多个导电线包括从左到右与竖直轨道竖直地对准的导电线的序列,并且其中,所述第一部分的导电线包括第一导电线、第二导电线、第五导电线、以及第六导电线。
5.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述第一部分的导电线比所述第一多个导电线中的不在所述第一部分中的导电线长。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,组合的所述第一距离和所述第二距离大于用于所述集成电路的最小端到端距离设计规则。
7.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述导电线在所述集成电路的布线层中。
8.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述导电线是在所述集成电路的接触层中的多晶硅栅极布线。
9.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述导电线是在所述集成电路的接触层中的源极布线和漏极布线。
10.根据权利要求1所述的集成电路装置,其中,所述第二单元具有沿着共享边界的与所述第一单元的底部边缘相邻的顶部边缘。
11.根据权利要求1-10中的任一项所述的集成电路装置,其中,所述导电线在平行轨道中竖直地对准。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的