[发明专利]可叠置薄膜存储器

权利要求书

1.一种存储器，包括：

在衬底之上的第一金属层之上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管的栅极电极连接到所述第一金属层中的金属互连；

耦合到所述薄膜晶体管的存储器元件，所述存储器元件包括存储器元件层以及所述存储器元件层上的存储器元件电极；以及

间隔部，所述间隔部形成在所述存储器元件电极和所述存储器元件层的相对侧壁上以保护所述存储器元件。

2.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述薄膜晶体管包括非晶氧化物半导体(AOS)膜、多晶硅膜、非晶硅膜、多晶III-V半导体膜、多晶锗、非晶锗、有机物膜、过渡金属硫族化物(TMD)膜、或其任意组合。

3.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器元件在所述第一金属层的一部分上。

4.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器元件在所述薄膜晶体管之上的第二金属层上。

5.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器元件和所述薄膜晶体管中的每一个包括氧化物膜。

6.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述衬底是柔性衬底。

7.根据权利要求1所述的存储器，其中，所述存储器元件是薄膜存储器元件。

8.一种存储器系统，包括：

第一存储器单元，包括

在衬底之上的第一金属层之上的第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极电极连接到所述第一金属层中的金属互连；

耦合到所述第一薄膜晶体管的第一存储器元件，所述第一存储器元件包括第一存储器元件层以及所述第一存储器元件层上的第一存储器元件电极；以及

间隔部，所述间隔部形成在所述第一存储器元件电极和所述第一存储器元件层的相对侧壁上以保护所述第一存储器元件；以及

在所述第一存储器单元之上的第二存储器单元。

9.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第一存储器单元包括

耦合到所述第一薄膜晶体管的第一薄膜存储器元件。

10.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第二存储器单元包括所述第一金属层之上的第二金属层之上的第二薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管的栅极电极连接到所述第二金属层中的金属互连。

11.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第一薄膜晶体管包括氧化物膜。

12.根据权利要求8所述的系统，其中，所述第一薄膜晶体管包括非晶氧化物半导体(AOS)膜、多晶硅膜、非晶硅膜、多晶III-V半导体膜、多晶锗、非晶锗、有机物膜、过渡金属硫族化物(TMD)膜、或其任意组合。

13.根据权利要求8所述的系统，其中，所述衬底是柔性衬底。

14.一种制造存储器系统的方法，包括：

在衬底之上的第一金属层的第一部分之上沉积薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层之下的栅极电极连接到所述第一金属层中的金属互连；

沉积耦合到所述薄膜晶体管层的存储器元件，所述存储器元件包括存储器元件层以及所述存储器元件层上的存储器元件电极；以及

在所述存储器元件电极和所述存储器元件层的相对侧壁上形成间隔部以保护所述存储器元件。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述薄膜晶体管层包括非晶氧化物半导体(AOS)膜、多晶硅膜、非晶硅膜、多晶III-V半导体膜、多晶锗、非晶锗、有机物膜、过渡金属硫族化物(TMD)膜、或其任意组合。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述存储器元件层在所述第一金属层的第二部分上。