[发明专利]用于将过生长层施加至晶种层上的方法

权利要求书

1.一种将掩蔽的过生长层(14)施加至晶种层(2)上以用于生产半导体组件的方法，其特征在于将用于掩蔽所述过生长层(14)的掩模(6)压印至所述晶种层(2)上。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述晶种层(2)和/或所述过生长层(14)外延和/或单晶形成，特别地由下述材料中的一者或多者作为晶种层材料和/或过生长层材料：

•金属，具体而言Cu、Ag、Au、Al、Fe、Ni、Co、Pt、W、Cr、Pb、Ti、Sn和/或Zn，

•半导体，具体而言Ge、Si、α-Sn、富勒烯、B、Se、Te

•化合物半导体，具体而言GaAs、GaN、InP、In_xGa_(1-x)N、InSb、InAs、GaSb、AlN、InN、GaP、BeTe、ZnO、CuInGaSe₂、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、Hg_(1-x)Cd_(x)Te、BeSe、HgS、Al_xGa_(1-x)As、GaS、GaSe、GaTe、InS、InSe、InTe、CuInSe₂、CuInS₂、CuInGaS₂、SiC、SiGe。

3.根据权利要求2所述的方法，其中相同的材料被用作晶种层材料和过生长层材料。

4.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中所述掩模(6)由掩模材料压印，所述掩模材料特别地具有主要组分和次要组分，优选具有以下所列举主要组分中的一者或多者：

•倍半硅氧烷、特别是多面体低聚倍半硅氧烷(POSS)，和/或

•聚二甲基硅氧烷(PDMS)和/或

•原硅酸四乙酯(TEOS)和/或

•聚(有机)硅氧烷(硅酮)和/或

•全氟聚醚(PFPE)。

5.根据权利要求4所述的方法，其中将所述掩模材料施加至所述晶种层(2)上以掩蔽所述晶种层(2)，特别地借助下述方法中的一者：

•物理沉积法，特别是PVD，和/或

•化学沉积法，特别是CVD，优选PE-CVD，和/或

•湿化学沉积法，和/或

•涂布，具体而言旋涂或喷涂。

6.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中借助压印光刻、优选借助纳米压印光刻来结构化所述掩模材料以形成所述掩模。

7.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中在所述掩模(6)的施加之后，在未被所述掩模(6)覆盖的所述晶种层表面(2o)的涂布区域中，所述晶种层(2)被涂布有所述过生长层(14)。

8.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中将所述过生长层(14)施加超出所述掩模(6)。

9.根据前述权利要求中至少一项所述的方法，其中在施加所述过生长层(14)之后，至少部分地去除、特别是磨除所述晶种层(2)。

10.一种最终产物(15)，其具有：

-晶种层(2)，其用于生产半导体组件，

-掩蔽的过生长层(14)，其在所述晶种层(2)上，具有比所述晶种层(2)更低的位错密度。