[发明专利]压接型半导体器件堆叠

权利要求书

1.一种压接型半导体器件堆叠，其包括：压接型半导体器件，每个压接型半导体器件包括多芯片半导体器件，其中多个芯片布置在同一平面上；散热器，其被布置在所述压接型半导体器件的两个表面上，各压接型半导体器件和所述散热器交替堆叠；以及加压装置，其用于对所述压接型半导体器件和所述散热器加压，使得已经被堆叠的压接型半导体器件和散热器之间的压接力变为规定的压接力，

所述压接型半导体器件堆叠的特征在于：

所述加压装置包括：

加压体，其布置在已经被堆叠的压接型半导体器件和散热器的上表面和下表面上，

绝缘座用金属配件，每个绝缘座用金属配件将由所述加压体施加的压力分配到外周面，和

绝缘座，每个绝缘座布置在所述绝缘座用金属配件的加压面与最靠近相关绝缘座用金属配件的加压面布置的散热器之间，并且通过施加到相关绝缘座用金属配件的加压面的压力加压相关散热器；

所述压接型半导体器件具有：

作为压接面的一侧的收集器端面；

位于与所述收集器端面相反布置的另一侧的发射器端面；和

切口部，其位于收集器端面或发射器端面中的任何一个的柱端面的周边部分的一部分处；并且

当构成压接型半导体器件的芯片平行于所述压接面布置在收集器端面和发射器端面之间，并且从收集器端面到芯片的正面的距离与从发射器端面到芯片的背面的距离不同时，

进一步设置下述装置：其使得从由上表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面的距离等于从由下表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的背面的距离。

2.根据权利要求1所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

用于使从绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面或背面的距离彼此相等的装置包括：

间隔件，所述间隔件在距离较短的一侧布置在绝缘座和散热器之间，并且所述间隔件的厚度等于从由上表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面的距离与从由下表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的背面的距离之间的差，从而吸收距离之间的差。

3.根据权利要求1所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

用于使从绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面或背面的距离彼此相等的装置：

改变具有较短距离的一侧的散热器的厚度，从而吸收从由上表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面的距离与从由下表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的背面的距离之间的差。

4.根据权利要求1所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

用于使从绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面或背面的距离彼此相等的装置：

改变绝缘座的厚度，从而吸收从由上表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的正面的距离与从由下表面加压体加压的绝缘座用金属配件的加压面到最靠近此加压面布置的压接型半导体器件的芯片的背面的距离之间的差。

5.根据权利要求1或3所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

所述散热器包括水冷式散热器。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

所述加压体包括球形加压体或锥形加压体。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的压接型半导体器件堆叠，其特征在于：

所述绝缘座用金属配件包括：

在压接面侧进行反向钻孔的切口部，以及

在与所述进行反向钻孔的切口部相反的一侧的表面处，被钻孔从而在加压体是球形加压体的情况下在接触部分处与球形加压体接触的表面，或者被钻孔从而在加压体是锥形加压体的情况下在接触部分处与锥形加压体接触的表面。