[发明专利]用于制造高密度存储器阵列的装置以及方法

权利要求书

1.一种用于储存数据的装置，所述装置包括：

非正交晶体管鳍状物，所述非正交晶体管鳍状物与晶体管栅极非正交；

扩散接触部，所述扩散接触部具有非直角边，所述扩散接触部耦合到所述非正交晶体管鳍状物；

第一过孔；

至少一个存储器元件，所述至少一个存储器元件通过所述第一过孔中的至少一个过孔耦合到所述扩散接触部中的至少一个扩散接触部；以及

源极线，所述源极线部分地围绕所述第一过孔，以使得所述源极线与所述第一过孔自对准，并且所述源极线相对于彼此自对准。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述扩散接触部中的所述至少一个扩散接触部是漏极侧扩散接触部，并且其中，所述扩散接触部中的至少另一个扩散接触部是源极侧扩散接触部。

3.根据权利要求1所述的装置，包括第二过孔，其中，所述第二过孔中的至少一个过孔将所述源极线中的至少一个源极线耦合到所述源极侧扩散接触部。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一过孔中的至少一个过孔耦合到所述至少一个存储器元件的端子和所述漏极侧扩散接触部的一部分。

5.根据权利要求1所述的装置，其中，所述非正交晶体管鳍状物不平行于所述源极线。

6.根据权利要求1所述的装置，其中，所述扩散接触部是长菱形。

7.根据权利要求1所述的装置，其中，所述扩散接触部是菱形。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器元件是电容器或电阻性存储器元件之一。

9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述存储器元件是电阻性存储器元件，所述电阻性存储器元件是以下各项的至少其中之一：

磁隧道结；

相变存储器；或

电阻性随机存取存储器(RRAM)材料。

10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一过孔是磁隧道结(MTJ)柱状过孔。

11.一种用于制造存储器的方法，所述方法包括：

在衬底上制造非正交晶体管鳍状物，所述晶体管鳍状物相对于所述衬底的平面是非正交的；

在制造的非正交晶体管鳍状物上方制造具有非直角边的扩散接触部，其中，所述扩散接触部耦合到所述非正交晶体管鳍状物；

在所述扩散接触部上方沉积蚀刻停止材料；

在所述蚀刻停止材料上方沉积电介质层；

在所述电介质层上方沉积金属化硬掩模层；

在所述金属化硬掩模层上方施加第一光致抗蚀剂，其中，所述第一光致抗蚀剂被图案化具有孔，以用于形成第一过孔，以便将所述第一过孔中的至少一个过孔耦合到存储器元件；以及

施加第三光致抗蚀剂并且图案化所述第三光致抗蚀剂以用于形成源极线；

其中，所述源极线部分地围绕所述第一过孔，以使得所述源极线与所述第一过孔自对准，并且所述源极线相对于彼此自对准。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述存储器元件是以下各项的至少其中之一：

磁隧道结；

相变存储器；

电阻性随机存取存储器(RRAM)；或

电容器。

13.根据权利要求11所述的方法，包括应用第一各向异性干法蚀刻以将所述第一光致抗蚀剂的光致抗蚀剂图案转移到所述电介质层和所述蚀刻停止材料中，以使得孔形成到所述扩散接触部中的至少一个扩散接触部的顶表面。

14.根据权利要求13所述的方法，包括：

移除所述第一光致抗蚀剂；以及

在移除所述第一光致抗蚀剂之后，施加间隔体膜以形成所述第一过孔。