[发明专利]导电膜及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201580077855.7 申请日: 2015-12-16
公开(公告)号: CN107430902A 公开(公告)日: 2017-12-01
发明(设计)人: 藤田英史;金田秀治;伊东大辅 申请(专利权)人: 同和电子科技有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14;H01B1/22;H01B5/00;H01B13/00;H05K3/12
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 代理人: 李英
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 导电 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.导电膜,是将在纸基材上含有铜粉的涂膜中的铜粒子烧结而成的烧结导电膜与所述基材一起加压而形成的导电膜,在与厚度方向平行的导电膜截面中铜所占的面积率为82.0%以上。

2.权利要求1所述的导电膜,其中,平均膜厚为5.0~20.0μm。

3.导电膜的制造方法,其具有:

在纸基材上形成包含树脂的有机介质与铜粉混合而成的涂料的涂膜的工序(涂膜形成工序),

通过对所述涂膜照射在240~600nm的范围内具有波长成分的光,从而使所述涂膜中的铜粒子烧结、得到烧结导电膜的工序(光烧成工序),

通过将所述烧结导电膜在加热到了90~190℃的状态下与纸基材一起进行加压,从而使烧结导电膜的铜填充率增大的工序(热压工序)。

4.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,在热压工序中,使烧结导电膜的铜填充率增大,并且将树脂的一部分排除到烧结导电膜的外部。

5.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,在热压工序中,通过辊压赋予辊轴方向每单位长度90~2000N/mm的负荷。

6.权利要求5所述的导电膜的制造方法,其中,在热压工序中,使烧结导电膜的铜填充率增大以致在与辊轴方向垂直的导电膜截面中铜所占的面积率成为82.0%以上。

7.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,在90~190℃的范围中,所述树脂的抗变形性比常温小。

8.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,所述涂料含有聚乙烯吡咯烷酮(PVP)作为树脂。

9.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,所述有机介质含有二醇系溶剂。

10.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,所述涂料中含有的铜粉是将一次粒子的平均粒径为10~100nm的微细铜粉A与采用激光衍射式粒度分布测定装置得到的体积基准的50%累计平均粒径D50为0.3~20.0μm的粗大铜粉B以质量比例A:B成为25:75至90:10的范围的方式混合而成的铜粉。

11.权利要求10所述的导电膜的制造方法,其中,微细铜粉A使用了用唑系化合物被覆的铜粒子。

12.权利要求10所述的导电膜的制造方法,其中,微细铜粉A使用了用苯并三唑(BTA)被覆的铜粒子。

13.权利要求3所述的导电膜的制造方法,其中,所述涂料中铜粉所占的含量为50~90质量%。

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