[发明专利]电流传感器在审
申请号: | 201580077700.3 | 申请日: | 2015-06-29 |
公开(公告)号: | CN107430155A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 清水康弘 | 申请(专利权)人: | 株式会社村田制作所 |
主分类号: | G01R15/20 | 分类号: | G01R15/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人: | 李逸雪 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电流传感器 | ||
技术领域
本发明涉及电流传感器,特别涉及对根据被测量电流而产生的磁场进行测量由此来检测被测量电流的值的电流传感器。
背景技术
作为公开了电流传感器的构成的在先文献,有JP特开2008-111748号公报(专利文献1)、JP特开2008-216230号公报(专利文献2)以及JP特开2007-78418号公报(专利文献3)。
专利文献1所记载的电流传感器具备:磁检测元件,配置在母线的各被检测部间;绝缘模制部,对该磁检测元件进行模制的同时嵌合于各被检测部间;以及屏蔽部,由在绝缘模制部中的成为母线的两侧部位的两侧面与母线非接触地一体形成的磁性体构成。
专利文献2所记载的电流传感器具备:电流检测器件,在由配置于设置基板上的4个磁阻效应元件相对于设置基板的中心线所划分出的一个区域构成第1半桥电路,并且在另一个区域构成第2半桥电路;以及一次导体,具有至少1个缝隙部,包含上述缝隙部的部分形成U字型形状,上述电流检测器件配置在上述缝隙部、形成U字型形状的上述一次导体的上部、以及形成U字型形状的上述一次导体的下部的3个位置之中的至少1个位置。
在专利文献3所记载的电流传感器中,集成芯片以被母线所构成的平行的2根线夹着的状态配置。集成芯片被配置至在2根线之间设置的阶梯空间,使得线位于表面侧、或者线位于背面侧。由于搭载于集成芯片的纵型霍尔元件,分别检测因2根线中电流(各线都是同一个方向的电流)流过而产生的相反方向的磁向量。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:JP特开2008-111748号公报
专利文献2:JP特开2008-216230号公报
专利文献3:JP特开2007-78418号公报
发明内容
-发明要解决的课题-
在专利文献1所记载的电流传感器中,没有考虑具备多个磁检测元件的构成。
在专利文献2所记载的电流传感器中,由于通过降低磁检测元件所检测的磁通密度使得电流传感器的测量范围变宽,因此电流传感器的灵敏度较低。
在专利文献3所记载的电流传感器中,在平行的2根线之间所设置的阶梯空间,配置有搭载了磁检测元件的集成芯片。在2根线间的中心附近,各个线的周围所产生的磁场相抵消。因此,在磁检测元件被配置在2根线间的中心附近的情况下,磁检测元件所检测的磁通密度降低从而电流传感器的灵敏度变低。
本发明是鉴于上述问题而提出的,其目的在于提供一种能够提高灵敏度的同时降低外部磁场所带来的影响的电流传感器。
-解决课题的手段-
基于本发明的电流传感器具备:一次导体,流过测量对象的电流;和第1磁传感器以及第2磁传感器,分别检测由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度。上述电流被分流为2个流路,在一次导体的长度方向上流过一次导体。一次导体包含:拱形部,弯曲为在一次导体的厚度方向的一方突出并在上述长度方向上延伸,构成2个流路之中的一个流路。第1磁传感器以及第2磁传感器在一次导体的宽度方向上排列配置。第1磁传感器被配置在拱形部的内侧,位于一次导体的背面侧。第2磁传感器位于构成2个流路之中的另一个流路的部分的一次导体的表面侧。第1磁传感器以及第2磁传感器分别检测上述宽度方向的磁场。
在本发明的一方式中,还具备:计算部,对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算,来计算上述电流的值。关于由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度,第1磁传感器的检测值的相位与第2磁传感器的检测值的相位为反相。计算部是减法器或者差动放大器。
在本发明的一方式中,还具备:计算部,通过对第1磁传感器的检测值和第2磁传感器的检测值进行运算,来计算上述电流的值。关于由一次导体中流过的上述电流所产生的磁场的强度,第1磁传感器的检测值的相位与第2磁传感器的检测值的相位为同相。计算部是加法器或者加法放大器。
在本发明的一方式中,一次导体还包括:反拱形部,弯曲为在上述厚度方向的另一方突出并在上述长度方向上延伸,构成上述另一个流路。反拱形部在上述宽度方向上与上述拱形部排列。第2磁传感器被配置在反拱形部的内侧,位于一次导体的上述表面侧。
在本发明的一方式中,拱形部与反拱形部彼此具有同一形状。
在本发明的一方式中,在一次导体设有在上述长度方向上延伸的缝隙。缝隙在上述宽度方向上与拱形部相邻,从上述厚度方向观察,位于第1磁传感器与第2磁传感器之间。
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