[发明专利]用于封装半导体装置的组成物及使用其封装的半导体装置

权利要求书

1.一种用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其特征在于，包括：环氧树脂、固化剂以及无机填充剂，其中所述无机填充剂包括含有硅及铝的纳米材料以及氧化铝粒子的混合物，以所述无机填充剂的总重量计，所述氧化铝粒子的混合物以40重量％至99.99重量％的量存在，所述氧化铝粒子具有0.1微米至50微米的平均粒径，所述纳米材料包括纳米线、纳米棒、纳米管以及纳米带中的至少一者，所述纳米材料具有5平方米/克至100平方米/克的比表面积，所述纳米管具有1纳米至300纳米的内径、20纳米至310纳米的外径以及0.1微米至20微米的长度，所述环氧树脂按0.1重量％至15重量％的量存在于用于封装半导体装置的所述环氧树脂组成物中，所述固化剂按0.1重量％至13重量％的量存在于用于封装半导体装置的所述环氧树脂组成物中。

2.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料具有10纳米至500纳米的平均粒径。

3.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料中的硅与铝的摩尔比在0.1:1至5:1的范围内。

4.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料由式8表示：

[式8]

Al₂O₃·(SiO₂)_x·y(H₂O)

在式8中，x在0.5至5的范围内，且y在1至10的范围内。

5.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料具有5W/mK至30W/mK的热导率。

6.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料具有7至9的pH值。

7.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料是由二氧化硅及氧化铝形成。

8.根据权利要求7所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料中的二氧化硅与氧化铝的摩尔比在0.5:1至5:1的范围内。

9.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述纳米材料具有以下结构：其中一或多个二氧化硅层及一或多个氧化铝层堆叠于彼此之上。

10.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中就固体含量而言，所述纳米材料以0.01重量％至40重量％的量存在于所述环氧树脂组成物中。

11.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中所述无机填充剂包括以下各者中的至少一者：具有大于或等于0.1微米且小于或等于4微米的平均粒径的氧化铝；具有大于4微米且小于或等于10微米的平均粒径的氧化铝；以及具有大于10微米且小于或等于30微米的平均粒径的氧化铝。

12.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，还包括：固化促进剂、偶合剂以及着色剂中的至少一者。

13.根据权利要求1所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物，其中在25℃下对热导率的标本进行量测，所述环氧树脂组成物具有3W/mK至10W/mK的热导率，所述标本是通过在以下条件下使用转移模制机将所述环氧树脂组成物射出模制而制备：175℃的模具温度、9MPa的注入负载，以及120秒的固化时间。

14.一种半导体装置，其特征在于，其使用根据权利要求1至13中任一项所述的用于封装半导体装置的环氧树脂组成物来封装。