[发明专利]带有背侧传导板的无线电管芯封装有效
| 申请号: | 201580076538.3 | 申请日: | 2015-03-19 |
| 公开(公告)号: | CN107251206B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
| 发明(设计)人: | T.卡姆盖英;T.迈尔 | 申请(专利权)人: | 英特尔公司 |
| 主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/488;H01L23/538;H01L23/66;H01L25/065;H01L21/60 |
| 代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 姜冰;郑冀之 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 带有 传导 无线电 管芯 封装 | ||
1.一种半导体封装,包括:
传导板;
半导体管芯,具有正侧和背侧,所述背侧被附连到所述板;
无线电频率组件,附连到所述板;
电介质填充腔,在所述板中,与所述无线电频率组件相邻;以及
再分布层,附连到所述管芯的所述正侧供外部连接。
2.如权利要求1所述的封装,其中所述板包括铜、陶瓷、或聚合物。
3.如权利要求1所述的封装,其中所述电介质包括环氧树脂、聚酰亚胺、或液晶聚合物。
4.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,其中所述腔通过所述板从附连到所述管芯的一侧延伸到与所述管芯相反的一侧。
5.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,其中所述无线电频率组件形成在所述管芯的所述正侧上。
6.如权利要求5所述的封装,其中所述管芯具有含有无线电频率电路的段,所述无线电频率电路包含所述无线电频率组件。
7.如权利要求6所述的封装,其中所述无线电频率电路包括无线电频率放大器。
8.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,进一步包括第二管芯,所述第二管芯也被附连到所述板,并且其中所述无线电频率组件形成在所述第二管芯上。
9.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,进一步包括所述管芯和所述再分布层之间的所述板和所述管芯上的电介质。
10.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,进一步包括;
第二管芯;
与第一管芯分隔开的所述板中的第二电介质填充腔、和所述第二电介质腔内的过孔条;以及
所述过孔条上的连接垫阵列,用于连接到所述板的与第一管芯相反的一侧上的所述第二管芯。
11.如权利要求10所述的封装,进一步包括用于将所述过孔条连接到所述再分布层的多个过孔。
12.如权利要求1-3的任意一项所述的封装,进一步包括所述管芯和所述板之间的钝化层。
13.一种用于形成半导体封装的方法,包括:
在板中形成腔;
将管芯的背侧附连到所述板,所述管芯具有RF段并且所述管芯被附连使得所述RF段与所述腔相邻;
用电介质来覆盖所述管芯的正侧;以及
在所述电介质上形成再分布层,供所述管芯的所述正侧的外部连接。
14.如权利要求13所述的方法,进一步包括在附连所述管芯之前用电介质来填充所述腔。
15.如权利要求13所述的方法,进一步包括将第二管芯附连到所述板,并且其中用电介质来覆盖所述管芯包括用所述电介质来覆盖所述第一管芯和所述第二管芯。
16.如权利要求13、14或15所述的方法,进一步包括在形成所述再分布层之前在所述电介质中形成过孔,所述过孔将所述管芯的连接垫连接到所述再分布层。
17.如权利要求13到15的任意一项所述的方法,其中形成腔包括形成通过所述板从与所述管芯最接近的一侧到相反侧的腔。
18.如权利要求13到15的任意一项所述的方法,进一步包括:
在附连所述管芯之前形成通过所述板并与所述管芯分隔开的第二腔;
用电介质来填充所述第二腔;
形成通过所述第二腔的所述电介质的过孔;
将所述第二腔过孔在一侧上连接到所述再分布层;以及
将所述第二腔过孔在相反侧上连接到附加管芯。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





