[发明专利]用于减少非辐射侧壁复合的LED结构

权利要求书

1.一种发光二极管(LED)，包括：

p-n二极管层，所述p-n二极管层包括：

顶部掺杂层，掺杂有第一掺杂物类型；

底部掺杂层，掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型；

位于所述顶部掺杂层和所述底部掺杂层之间的有源层；和

跨所述顶部掺杂层、所述有源层和所述底部掺杂层的p-n二极管层侧壁；和

半导体钝化层，跨所述顶部掺杂层、所述有源层和所述底部掺杂层而形成在所述p-n二极管层侧壁上，其中所述半导体钝化层在所述底部掺杂层下延伸，

其中所述半导体钝化层是p掺杂的，所述顶部掺杂层是n掺杂的，并且所述底部掺杂层是p掺杂的。

2.根据权利要求1所述的发光二极管，还包括形成在所述钝化层之上和之下的导电触点。

3.根据权利要求2所述的发光二极管，其中形成在所述钝化层之下的所述导电触点包括多层叠层。

4.根据权利要求3所述的发光二极管，其中所述多层叠层包括电极层和扩散阻挡层。

5.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体钝化层未到达所述p-n二极管层的顶表面。

6.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述p-n二极管层被设计用于发射红光。

7.根据权利要求6所述的发光二极管，其中所述p-n二极管层由磷基材料形成。

8.根据权利要求6所述的发光二极管，其中所述半导体钝化层包括AlInP。

9.根据权利要求8所述的发光二极管，其中所述AlInP是p掺杂的，并且所述顶部掺杂层是n掺杂的。

10.根据权利要求6所述的发光二极管，其中所述半导体钝化层包括GaN。

11.根据权利要求10所述的发光二极管，其中所述GaN是p掺杂的，并且所述顶部掺杂层是n掺杂的。

12.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述有源层包括多个量子阱层。

13.根据权利要求12所述的发光二极管，其中所述多个量子阱层包括AlGaInP。

14.根据权利要求1所述的发光二极管，其中所述半导体钝化层由与所述p-n二极管层侧壁的晶格结构匹配的晶格结构来表征。

15.根据权利要求14所述的发光二极管，还包括形成在所述钝化层之上和之下的导电触点。

16.根据权利要求14所述的发光二极管，其中所述半导体钝化层未到达所述p-n二极管层的顶表面。