[发明专利]具有改进的凹部或者空腔结构的微型机械装置

权利要求书

1.一种传感器，其包括：

第一衬底，所述第一衬底包括：

第一侧和相对的第二侧，所述第一侧具有凹部；

所述凹部由一个或者多个侧壁和底壁限定，其中，所述一个或者多个侧壁大体上垂直于所述底壁；

感测膜片，所述感测膜片限定在所述第一衬底的所述第二侧与所述凹部的所述底壁之间；

凸起，所述凸起从所述凹部的所述底壁延伸到所述凹部中，所述凸起由侧壁限定，其中，所述凸起的所述侧壁大体上垂直于所述凹部的所述底壁，其中，所述凸起延伸跨越所述凹部的整个深度，并且其中，所述第一衬底的所述凹部的所述一个或者多个侧壁限定出所述第一衬底的所述凹部的侧向范围，其中，所述凸起侧向延伸跨越所述第一衬底的所述凹部；

第二衬底，所述第二衬底包括：

第一侧和相对的第二侧；

所述第一侧具有凹部；

其中，将所述第一衬底的所述第一侧固定到所述第二衬底的所述第一侧，从而使所述第一衬底中的所述凹部面向所述第二衬底中的所述凹部并且与所述第二衬底中的所述凹部流体连通；

其中，所述感测膜片位于所述凸起上方，其中，氧化层位于所述感测膜片和所述凸起之间；

其中，所述凸起在三个或者更多个离散位置处延伸到所述第一衬底的所述凹部的所述侧壁。

2.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第二衬底中的所述凹部与所述第一衬底中的所述凹部对准。

3.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述第二衬底中的所述凹部由一个或者多个侧壁和底壁限定，并且其中，所述一个或者多个侧壁大体上垂直于所述第二衬底中的所述凹部的所述底壁。

4.根据权利要求1所述的传感器，其中，所述凸起被图案化以包括“X”形状，其中，所述“X”形状的中心位于所述感测膜片的中心。

5.一种传感器，其包括：

传感器本体，所述传感器本体具有第一侧和第二侧；

密封的空腔，所述密封的空腔位于所述传感器本体的所述第一侧和所述第二侧之间，其中，感测膜片在所述密封的空腔与所述传感器本体的所述第一侧之间，所述空腔由所述第一侧中的凹部和所述第二侧中的凹部形成，所述空腔由一个或者多个侧壁、邻近所述传感器本体的所述第一侧的顶壁、以及邻近所述传感器本体的所述第二侧的底壁限定；以及

凸起，其中，所述感测膜片位于所述凸起上方，其中，氧化层位于所述感测膜片和所述凸起之间，并且所述凸起延伸跨越所述第一侧中的凹部的整个深度，并且其中，所述凸起在三个或者更多个离散位置处延伸到所述第一侧的所述凹部的所述侧壁。

6.根据权利要求5所述的传感器，其中，所述凸起沿所述感测膜片侧向延伸。

7.一种用于制造传感器的方法，其包括：

在绝缘体上硅衬底的第一层中蚀刻出凹部，其中，所述绝缘体上硅衬底包括所述第一层和第二层，所述凹部限定出感测膜片和所述感测膜片的凸起的范围，其中，所述感测膜片位于所述凸起上方，其中，氧化层位于所述感测膜片和所述凸起之间，并且所述凸起延伸跨越所述凹部的整个深度；

将凹部蚀刻到第二衬底中；

将所述绝缘体上硅衬底固定到所述第二衬底，从而使所述绝缘体上硅衬底的所述第一层中的所述凹部面向所述第二衬底中的所述凹部并且与所述第二衬底中的所述凹部流体连通；

去除所述第二层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，去除所述第二层包括使用蚀刻来去除，其中，所述氧化层是所述蚀刻的蚀刻停止部。