[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其在有源区域的外侧配置有终端区域，

该半导体装置的特征在于，具备：

n型漂移层，其具有彼此相对的表面和背面；

p型阳极层，其在所述有源区域形成于所述n型漂移层的所述表面；

n型缓冲层，其形成于所述n型漂移层的所述背面；

n型阴极层及p型阴极层，它们相互横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面；

n型层，其在所述有源区域与所述终端区域的边界区域，横跨了所述有源区域与所述终端区域的边界，与所述n型阴极层及所述p型阴极层横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面；以及

阴极电极，其与形成于所述有源区域的所述n型阴极层及所述p型阴极层欧姆接触，

将所述有源区域的端部作为起点，所述n型层向所述有源区域侧伸出的距离是WGR1，

满足100μm≤WGR1≤500μm。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

将所述有源区域的端部作为起点，所述n型层向所述终端区域侧伸出的距离是WGR2，

满足100μm≤WGR2≤500μm。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层与所述n型阴极层具有相同的杂质浓度。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层与所述n型缓冲层具有相同的杂质浓度。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层的所述有源区域侧的端部与所述p型阴极层相邻。

6.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层的所述终端区域侧的端部与所述p型阴极层相邻。

7.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层的所述有源区域侧的端部与所述n型阴极层相邻。

8.一种半导体装置，其在有源区域的外侧配置有终端区域，

该半导体装置的特征在于，具备：

n型漂移层，其具有彼此相对的表面和背面；

p型阳极层，其在所述有源区域形成于所述n型漂移层的所述表面；

n型缓冲层，其形成于所述n型漂移层的所述背面；

n型阴极层及p型阴极层，它们相互横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面；

n型层，其在所述有源区域与所述终端区域的边界区域，横跨了所述有源区域与所述终端区域的边界，与所述n型阴极层及所述p型阴极层横向并排地形成于所述n型缓冲层的背面；以及

阴极电极，其与形成于所述有源区域的所述n型阴极层及所述p型阴极层欧姆接触，

将所述有源区域的端部作为起点，所述n型层向所述有源区域侧伸出的距离是WGR1，

满足10μm≤WGR1≤500μm，

该半导体装置还具备p型层，该p型层形成于所述n型缓冲层的背面，与所述n型层的所述有源区域侧和所述终端区域侧的至少一方相邻，比所述p型阴极层浓度低。

9.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层及所述n型阴极层比所述p型阴极层深度更深，峰值浓度提高至大于或等于2倍，

在所述n型层和所述n型阴极层中含有所述p型阴极层的杂质。

10.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述n型层配置为在俯视观察时呈点状。