[发明专利]处理陶瓷体的方法

权利要求书

1.一种在玻璃制造过程中对陶瓷体进行处理的方法，所述方法包括：

在加热的同时，将熔融玻璃传递到所述陶瓷体，所述陶瓷体包括陶瓷相和粒间玻璃相，所述熔融玻璃与所述陶瓷体的表面接触；

使所述陶瓷体接触第一电极；

使所述熔融玻璃接触第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极之间施加电场，以产生所述第一和第二电极之间的所述陶瓷体上的电势差，所述电势差小于所述陶瓷相与所述粒间玻璃相的电解阈值，以及

其中，所述粒间玻璃相在施加的电场的驱动扩散下发生反混合，并且所述粒间玻璃相中的可移动阳离子在靠近所述第一和第二电极中的一个处富集。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可移动阳离子从所述陶瓷体的表面扩散进入所述熔融玻璃中。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述可移动阳离子的富集发生在所述陶瓷体的块体内。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷体包括锆石。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷体上的电势差小于或等于约1.8V。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述陶瓷体上的电势差约为0.2-1.8V。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，在施加电场过程中，所述陶瓷体的温度至少约为1000℃。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极包括铂。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一电极还包括钇稳定化的氧化锆。

10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极包括金属氧化物。

11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一电极与所述第二电极中的至少一个包括导电陶瓷和导电碳中的至少一种。

12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，施加电场包括一次或多次反转极性。

13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述陶瓷体包括一个或多个开口或孔。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述一个或多个开口或孔包括所述第一和第二电极中的一个。

15.一种对陶瓷体进行处理的方法，该方法包括：

向所述陶瓷体的外表面施涂多孔陶瓷层，所述陶瓷体包含陶瓷相和粒间玻璃相；

向所述陶瓷体的所述外表面施加第一电极糊料层；

向所述陶瓷体的外表面施加与所述第一电极糊料层间隔开的第二电极糊料层；

烧结第一和第二糊料层以形成第一和第二电极；

加热所述陶瓷体；

在所述第一电极和所述第二电极之间施加电场，以产生所述第一和第二电极之间的所述陶瓷体上的电势差，所述电势差小于所述陶瓷相与所述粒间玻璃相的电解阈值，

其中，所述粒间玻璃相在施加的电场的驱动扩散下发生反混合，并且所述粒间玻璃相中的可移动阳离子在所述多孔陶瓷层中富集。

16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括去除至少一部分的所述多孔陶瓷层。

17.如权利要求15所述的方法，其特征在于，将所述陶瓷体加热至等于或大于1000℃的温度。

18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述陶瓷体包括锆石。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，第一电极与第二电极之间的电势差小于或等于约1.8V。

20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，第一电极与第二电极之间的电势差约为0.2-1.8V。