[发明专利]光子晶体光纤、光子晶体光纤的制备方法以及超连续谱光源

权利要求书

1.一种光子晶体光纤(PCF)，其具有纵轴并且包括沿所述纵轴的长度延伸的固体芯和围绕所述芯的包层区域，其中，至少所述包层区域包括多个在至少微结构长度部分中的以沿着所述PCF的纵轴延伸的内含物形式的微结构，其中，所述PCF在所述微结构长度部分的至少抗劣化长度部分中包含氢和/或氘，所述PCF在至少所述抗劣化长度部分中还包括围绕所述包层区域的主涂层，该主涂层在低于T_h的温度下不透氢和/或氘，其中，T_h为至少约50℃，优选地，50℃<T_h<250℃。

2.根据权利要求1所述的PCF，其中，所述包层区域中的多个内含物被布置成包含围绕所述芯的至少两个内含物环的模式。

3.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述内含物包括气体内含物，优选地，所述气体内含物在所述抗劣化长度部分的两侧被封闭。

4.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述抗劣化长度部分是所述PCF的整个长度，可选地除了所述PCF的封闭端，所述封闭端分别具有沿所述PCF的长度的高达约3mm，例如高达约2mm，例如高达约1mm，例如高达约0.5mm，例如高达约0.3mm，例如高达约0.2mm的长度。

5.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，至少所述抗劣化长度部分的包层区域中的多个内含物包括包含内侧内含物的内包层区域和包含外侧内含物的外包层区域，其中，所述内侧内含物比所述外侧内含物大，优选地，所述内侧内含物包括至少一个内含物环，并且所述外侧内含物包括至少一个外侧内含物环，更优选地，所述内侧内含物的直径d_inner比所述外侧内含物的直径d_outer大至少约15％，例如至少约20％，例如至少约25％，例如至少约30％。

6.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，至少所述抗劣化长度部分中的包层区域包括包含所述内含物的内包层区域和围绕所述内包层区域的外包层区域，其中，所述内包层区域的最外层内含物和所述主涂层之间的径向距离为至少约10μm，可选地，所述内包层区域和所述主涂层之间的材料形成氢和/或氘的储存器。

7.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述芯在至少所述抗劣化长度部分中具有约10μm或更小的芯直径，例如约8μm或更小，例如约6μm或更小，例如大于约3μm的范围，例如从约3μm到约5μm的范围。

8.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，在至少所述抗劣化长度部分中，最内层内含物与所述芯的中心到中心距离小于约50μm，优选小于约40μm，例如小于约30μm，例如小于约10μm。

9.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述PCF对于1000nm至1100nm之间的至少一个波长具有反常色散，优选地，所述PCF在约1030nm或1064nm具有反常色散。

10.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述PCF的芯在1064nm是空间单模。

11.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述PCF的芯在1030nm是单模。

12.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，至少所述PCF的芯基本上不含锗，优选地至少所述芯基本上是未掺杂的二氧化硅或氟掺杂的二氧化硅。

13.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，至少所述PCF的芯基本上不含活性材料，例如稀土离子。

14.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述主涂层包括氮化物、碳、铝、金、铜、镍、金属玻璃或包含前述一种或多种的组合或合金。

15.根据前述权利要求中任一项所述的PCF，其中，所述主涂层的厚度为约5nm至约25my，例如约5nm至约10μm，例如10nm至约5μm，例如约20nm至约1μm。