[发明专利]衬底处理装置及衬底处理方法在审
| 申请号: | 201580075242.X | 申请日: | 2015-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN107210200A | 公开(公告)日: | 2017-09-26 |
| 发明(设计)人: | 藤仓序章;今野泰一郎;沼田隆之;根本秀圣 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/458;C23C16/46;H01L21/31;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人: | 杨宏军 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 衬底 处理 装置 方法 | ||
1.一种衬底处理装置,具有:
容器,所述容器在内部形成有对衬底进行处理的处理部、使搬入所述处理部内的所述衬底升温的升温部、及使从所述处理部内搬出的经过处理的所述衬底降温的降温部;
设置于所述升温部或所述降温部中的至少任一者处的衬底载置台,其与载置于载置面上的所述衬底之间进行热传递;和
温度控制部,其对所述衬底载置台的温度加以控制,
所述温度控制部进行控制以使得:
在所述升温部设置有所述衬底载置台的情况下,在所述衬底被载置于所述衬底载置台之前,使所述衬底载置台的温度成为能够使将要搬入所述处理部的所述衬底升温至规定温度的温度,
在所述降温部设置有所述衬底载置台的情况下,在所述衬底被载置于所述衬底载置台之前,使所述衬底载置台的温度成为能够使从所述处理部搬出的经过处理的所述衬底降温至规定温度的温度。
2.如权利要求1所述的衬底处理装置,其中,在所述衬底载置台的所述载置面设置有凹部,从而使得当所述衬底被载置于所述衬底载置台上时在所述衬底与所述衬底载置台之间形成有空隙,
在所述衬底载置台与所述衬底之间通过辐射热进行热传递。
3.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,在所述凹部内设置有:在所述凹部内对所述衬底背面的周缘部加以支撑的突起部。
4.如权利要求2所述的衬底处理装置,其中,所述衬底以保持在用于保持衬底的托盘中的状态被载置于所述衬底载置台上,所述空隙在所述衬底载置台与所述托盘之间形成,在所述凹部内设置有在所述凹部内对所述托盘背面的周缘部加以支撑的突起部。
5.如权利要求4所述的衬底处理装置,其中,所述空隙的直径大于所述衬底的直径。
6.一种衬底处理方法,所述方法包括在形成于容器内的处理部进行衬底处理的工序;
并且,所述方法中进行下述工序中的至少任一者:
将所述衬底载置于衬底载置台的载置面上、并使所述衬底升温的工序,其中,所述衬底载置台设置于在所述容器内形成的升温部,并且通过温度控制部而被控制为能够使将要搬入所述处理部的所述衬底升温至规定温度的温度;或者,
将经过处理的所述衬底载置于衬底载置台的载置面上、并使所述衬底降温的工序,其中,所述衬底载置台设置于在所述容器内形成的降温部,并且通过温度控制部而被控制为能够使从所述处理部搬出的经过处理的所述衬底降温至规定温度的温度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





