[发明专利]半导体封装件有效
| 申请号： | 201580074691.2 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN107210237B | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | M·J·塞登;F·J·卡尼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L21/683;H01L23/482 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 封装 | ||
1.一种半导体封装件，包括：
管芯，所述管芯包括：
含钛层，所述含钛层耦接到所述管芯；和
直接耦接到所述含钛层的金属间化合物层，所述金属间化合物层包含银和锡组成的金属间化合物以及铜和锡组成的金属间化合物中的一者；以及
衬底，所述衬底包括直接耦接到所述衬底的仅银层，所述银层直接耦接到所述金属间化合物层；
其中所述金属间化合物层具有大于260摄氏度的熔融温度；
其中所述金属间化合物层不包括焊料。
2.根据权利要求1所述的半导体封装件，还包括位于所述含钛层和所述金属间化合物层之间的含铜层。
3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述含钛层位于所述管芯的背面。
4.一种半导体封装件，包括：
管芯，所述管芯耦接到第一子层，所述第一子层直接耦接到第二子层，其中所述第一子层和所述第二子层各自包含金属，所述金属选自钛、铜、铬、以及它们的任意组合；和
金属间化合物层，所述金属间化合物层直接耦接到所述第二子层，其中所述金属间化合物层仅在温度大于当所述金属间化合物第一次回流时施加的温度的情况下二次回流；
衬底，包括直接耦接到所述衬底的仅银层，所述银层直接耦接到所述金属间化合物层；
其中所述金属间化合物层包括多个子层；并且
其中所述金属间化合物层不包括焊料。
5.根据权利要求4所述的封装件，其中所述第一子层包含钛。
6.一种半导体封装件，包括：
多个裸露焊盘，所述多个裸露焊盘位于管芯的顶侧上；
钝化层，所述钝化层位于所述管芯的所述顶侧上围绕每个裸露焊盘；和
凸块，所述凸块耦接到所述多个裸露焊盘中的每个裸露焊盘；其中每个凸块包括钛子层、以及直接耦接到所述钛子层的银锡金属间化合物层和铜锡金属间化合物层中的一者，所述银锡金属间化合物层和所述铜锡金属间化合物层中的所述一者具有大于260摄氏度的熔融温度；
衬底，包括直接耦接到所述衬底的仅银层，所述银层与每个凸块的所述金属间化合物层直接耦接；
其中所述银锡金属间化合物层和所述铜锡金属间化合物层中的所述一者不包括焊料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
