[发明专利]发光元件及用于制造该发光元件的电子束沉积装置

说明书

一种实施例的发光元件可以包括：发光结构，包括第一导电型半导体层、有源层和第二导电型半导体层；以及第一电极和第二电极，被分别置于第一导电型半导体层和第二导电型半导体层上，其中，发光结构包括第一台面区域，第一导电型半导体层包括第二台面区域，以及第一电极包括：第一区域，其是第二台面区域上表面的部分区域；第二区域，其是第二台面区域的侧表面；以及第三区域，布置成从第二台面区域侧表面的边缘开始延伸，其中，第一、第二和第三区域被形成为使得第一区域的厚度(d1)、第二区域的厚度(d2)和第三区域的厚度(d3)的比例为d1：d2：d3＝1:0.9至1.1:1。

技术领域

实施例涉及一种发光元件和一种用于形成该发光元件的电极层的电子束沉积装置。

背景技术

由于例如诸如宽且容易调整的带隙能量的许多优点，所以诸如例如GaN和AlGaN的III-V族化合物半导体被广泛用于光电学和电子元件。

具体地，经由元件材料与薄膜生长技术的发展，例如使用III-V族或II-VI族化合物半导体的发光二极管或者激光二极管的发光元件可以实现例如诸如红、绿和蓝以及紫外光之类的各种颜色的光，并且通过使用荧光材料或者通过组合颜色还可以实现具有高光视效能的白光。相比于诸如例如荧光灯和白炽灯的现有光源，这些发光元件具有低能耗、半永久性使用寿命、响应速度快、安全性良好以及环保特性的优点。

因此，发光元件的应用已经扩展至光通信装置的传输模块、发光二极管背光(其可以代替构成液晶显示(LCD)装置的背光的冷阴极荧光灯(CCFL))、白色发光二极管照明装置(其可以代替荧光灯或者白炽灯泡、车头灯以及信号灯)。

此外，由于发光二极管在例如便携式电器或者照明装置的光源方面的应用正在增加，所以最近已经研制出具有优异的光学特性及小尺寸的发光二极管。

虽然已经进行尝试以通过减小发光结构的横截面积来形成像素，从而实现小发光二极管，但是每个发光结构的厚度太大，以至于不能实现超薄型单位像素。

也就是说，在例如由蓝宝石形成的衬底上生长上述发光二极管的发光结构。例如，在生长了发光衬底之后其中残留有衬底的水平型发光元件以及在其中金属支架被耦接至发光结构的一侧且衬底被移除的垂直型发光元件的情形下，衬底或者金属支架太厚，以至于无法形成超薄型像素。

此外，当设置在阶梯部上的半导体层或金属层的阶梯覆盖较差时，在超薄型像素中使用的小发光元件的性能可能劣化。

发明内容

【技术问题】

因此，提供实施例以实现超薄型发光元件，该超薄型发光元件由于在电子束沉积装置中设置的衬底固定器的改良结构而具有改良的沉积质量的金属层。

由实施例所要实现的技术目的不限于上述技术目的，并且根据下文的描述，本领域技术人员将清晰地理解其它未提到的技术目的。

【技术方案】

实施例提供一种发光元件，包括：发光结构，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；以及第一电极和第二电极，其被分别设置在所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层上；其中，所述发光结构包括第一台面区域，以及所述第一导电半导体层包括第二台面区域，其中，所述第一电极包括：第一区域，位于所述第二台面区域的部分上表面上；第二区域，位于所述第二台面区域的侧表面上；以及第三区域，被设置成从所述第二台面区域的侧表面的边缘开始延伸，以及其中，所述第一区域、所述第二区域和所述第三区域具有以下厚度比率：

d1:d2:d3＝1:0.9至1.1:1

(其中，d1是所述第一区域的厚度，d2是所述第二区域的厚度，d3是所述第三区域的厚度)。