[发明专利]用于在原始结构上生成碳层的方法以及微机电或半导体结构

权利要求书

1.一种用于生成微机电或半导体结构的方法，所述方法具有如下步骤：

- 提供（31）原始结构（1），所述原始结构（1）的表面至少具有由二氧化硅组成的部分（12-1、12-2、12-3、12-4），

- 提供（32）一种原材料或者多种原材料的混合物，所述原材料在LPCVD工艺中是由碳、硅和氯构成的混合物，

- 将所述原始结构（1）以及所述一种原材料或者原材料的混合物引入（33）到所述LPCVD工艺中，并且借此

- 使碳层（14-1、14-2、14-3、14-4）沉积（34）在所述原始结构（1）的由二氧化硅组成的部分（12-1、12-2、12-3、12-4）上。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述LPCVD工艺在700℃与1300℃之间的范围内的工艺温度的情况下并且在100mTorr与5000mTorr之间的范围内的工艺压强的情况下被执行。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中，所述原始结构（1）除了由二氧化硅组成的部分（12-1、12-2、12-3、12-4）之外还具有其它部分，所述其它部分由硅和/或碳化硅组成，并且借此

- 在所述LPCVD工艺中使碳化硅层（13-1、13-2、13-3）沉积在所述原始结构（1）的由硅或碳化硅组成的其它部分上。

4.根据上述权利要求之一、尤其是根据权利要求3所述的方法（35），其特征在于，在所述LPCVD工艺结束之后，所述原始结构（1）的在所述碳层（14-1, ..., 14-3）之下的由二氧化硅组成的部分（12-1, ..., 12-4）整个或者部分地、优选地借助于气相蚀刻来除去。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，将氢氟酸用于气相蚀刻。

6.根据上述权利要求之一所述的方法，其特征在于，将甲基三氯硅烷用作原材料。

7.根据权利要求1至5之一所述的方法，其特征在于，使用由硅烷、甲烷和氯化氢构成的混合物或者是在LPCVD工艺的工艺条件下类似的用于碳、硅和氯的来源的物质，作为原材料。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，附加地使用氮源、诸如氨气，以便实现对所沉积的碳化硅层的掺杂。

9.一种微机电或半导体结构（1、2），其利用根据上述权利要求之一所述的方法来制造。