[发明专利]场发射光源

权利要求书

1.一种场发射光源，包括：

- 场发射阴极，所述场发射阴极包括多个纳米结构，所述纳米结构形成在基板上；

- 导电阳极结构，所述导电阳极结构包括第一波长转换材料，所述第一波长转换材料布置用于覆盖阳极结构的至少一部分，其中，第一波长转换材料配置为接收从场发射阴极发射的电子并发射第一波长范围的光，以及

- 装置，所述装置用于在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成一个安全密封且随后抽真空的腔室，包括布置成环绕多个纳米结构的间隔结构，

其中，用于接收多个纳米结构的基板是晶片。

2.根据权利要求1所述的场发射光源，其特征在于，间隔结构布置为在阳极结构和场发射阴极之间设定预定的距离。

3.根据权利要求1和2中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，还包括第二波长转换材料。

4.根据权利要求1和2中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，还包括第二波长转换材料，所述第二波长转换材料远离第一波长转换材料布置。

5.根据权利要求4所述的场发射光源，其特征在于，还包括圆顶形结构，所述圆顶形结构布置在阳极结构的外部，其中第二波长转换材料形成在圆顶形结构的内部的至少一部分上。

6.根据权利要求1所述的场发射光源，其特征在于，场发射阴极的基板和阳极结构中的至少一个的光输出耦合侧包括光提取纳米结构。

7.根据权利要求3-5中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，第一波长转换材料包括磷光体材料，第二波长转换材料包括多个量子点，当接收第一波长范围的光时，量子点产生第二波长范围的光，其中，第二波长范围至少部分高于第一波长范围。

8.根据权利要求7所述的场发射光源，其特征在于，第一波长范围介于350 nm和550 nm之间，优选地，介于420 nm和495 nm之间。

9.根据权利要求7-8中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，第二波长范围介于470 nm和800 nm之间，优选地，介于490 nm和780 nm之间。

10.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，晶片为金属合金。

11.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，多个纳米结构包括ZnO纳米棒，ZnO纳米棒具有至少1 μm的长度。

12.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，间隔结构配置为在场发射阴极的基板和阳极结构之间形成介于100 μm和5000 μm之间的距离。

13.根据权利要求1-11中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，场发射阴极和阳极结构之间的距离取决于场发射光源的期望工作点。

14.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，晶片包括一个凹部，多个纳米结构的至少一部分形成在凹部的底面。

15.根据权利要求3-14中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，还包括第三波长转换材料，所述第三波长转换材料发射第三波长范围内的光。

16.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，第一波长转换材料包括硫化锌，第一波长转换材料配置为吸收电子并发射蓝光，或第一波长转换材料包括单晶磷光体层。

17.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，晶片为硅晶片，通过硅晶片形成用于控制场发射光源的逻辑功能。

18.根据权利要求1-16中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，晶片由金属材料制成。

19.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，间隔选择为具有与晶片的热膨胀系数相匹配的热膨胀系数。

20.根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，其特征在于，还包括吸气剂，所述吸气剂与纳米结构相邻布置。

21.一种照明装置，包括：

- 根据前面权利要求中任意一项所述的场发射光源，

- 电源，所述电源用于向场发射光源提供电能以允许电子从多个纳米结构向阳极结构发射电子，以及

- 控制单元，所述控制单元用于控制照明装置的工作。