[发明专利]电子器件用外延基板、电子器件、电子器件用外延基板的制造方法及电子器件的制造方法

权利要求书

1.一种电子器件用外延基板，其特征在于，

具有：硅系基板；

AlN初始层，被设置于前述硅系基板上；以及，

缓冲层，被设置于前述AlN初始层上，

前述电子器件用外延基板具有：通道层，被设置于前述缓冲层上；

障壁层，被设置于前述通道层上；以及，

顶盖层，被设置于前述障壁层上，

前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa为4nm以上且为8nm以下。

2.如权利要求1所述的电子器件用外延基板，其中，前述缓冲层，包含与前述AlN初始层接触的Al_zGa_1-zN层，而且0≤z＜1，

前述Al_zGa_1-zN层的位于前述AlN初始层的相反侧的表面的粗糙度Sa为0.6nm以下，而且0≤z＜1。

3.如权利要求2所述的电子器件用外延基板，其中，前述缓冲层包含多层膜，该多层膜与前述Al_zGa_1-zN层接触，并由Al_xGa_1-xN层与Al_yGa_1-yN层交互积层而成，而且0≤z＜1、0＜x≤1、0≤y＜x；

前述多层膜的位于前述Al_zGa_1-zN层的相反侧的表面的粗糙度Sa为0.3nm以下，而且0≤z＜1。

4.一种电子器件，其特征在于，是使用权利要求1～3中任一项所述的电子器件用外延基板而制作出来的电子器件，在前述电子器件用外延基板上设置有电极。

5.一种电子器件用外延基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在硅系基板上形成AlN初始层的工序；

在前述AlN初始层上形成缓冲层的工序；

在前述缓冲层上形成通道层的工序；

在前述通道层上形成障壁层的工序；以及，

在前述障壁层上形成顶盖层的工序，

将前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa设为4nm以上且为8nm以下。

6.一种电子器件用外延基板的制造方法，其特征在于，包括以下工序：

在硅系基板上形成AlN初始层的工序；

在前述AlN初始层上形成缓冲层的工序；

在前述缓冲层上形成通道层的工序；

在前述通道层上形成障壁层的工序；

在前述障壁层上形成顶盖层的工序；以及，

在前述顶盖层上形成电极的工序，

将前述AlN初始层的位于前述缓冲层侧的表面的粗糙度Sa设为4nm以上且为8nm以下。