[发明专利]用于松散黝铜矿材料的电接触部和热接触部及其制备方法

权利要求书

1.一种结构，包括：

黝铜矿基底；

第一接触金属层，其被布置在所述黝铜矿基底上面并且与所述黝铜矿基底直接接触；以及

第二接触金属层，其被布置在所述第一接触金属层上面。

2.如权利要求1所述的结构，其中所述第一接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：难熔金属、与Ti或W成合金的难熔金属、稳定的硫化物、与Ti或W成合金的稳定的硫化物、稳定的难熔金属氮化物以及稳定的难熔金属碳化物。

3.如权利要求2所述的结构，其中所述难熔金属选自由以下组成的组：Mo、Nb、Ta、W、Re、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Ru、Rh、Os以及Ir。

4.如权利要求2或权利要求3所述的结构，其中所述稳定的难熔金属氮化物选自由以下组成的组：TiN和TaN。

5.如权利要求2或权利要求3所述的结构，其中所述稳定的难熔金属碳化物选自由以下组成的组：TiC和WC。

6.如权利要求2所述的结构，其中所述稳定的硫化物包括La₂S₃。

7.如权利要求1-6中任一项所述的结构，其中所述第二接触金属层包含贵金属。

8.如权利要求1-6中任一项所述的结构，其中所述第二接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：Au、Ag、Ni、Ni/Au以及Ni/Ag。

9.如权利要求1-8中任一项所述的结构，还包括扩散屏障金属层，所述扩散屏障金属层被布置在所述第一接触金属层和所述第二接触金属层之间。

10.如权利要求9所述的结构，其中所述扩散屏障金属层包含选自由以下组成的组的材料：难熔金属、与Ti或W成合金的难熔金属、稳定的硫化物、稳定的氮化物、与Ti或W成合金的稳定的硫化物以及与Ti或W成合金的稳定的氮化物。

11.如权利要求10所述的结构，其中所述难熔金属选自由以下组成的组：Mo、Nb、Ta、W、Re、Ti、V、Cr、Zr、Hf、Ru、Rh、Os以及Ir。

12.如权利要求9所述的结构，其中所述扩散屏障金属层包含选自由以下组成的组的材料：TiB₂、Ni以及MCrAlY，其中M是Co、Ni或Fe。

13.如权利要求9-12中任一项所述的结构，其中所述第一接触金属层和所述扩散屏障金属层以交替的层被沉积。

14.如权利要求1-13中任一项所述的结构，还包含与所述第二接触金属层直接接触的硬焊料或软焊料。

15.如权利要求1所述的结构，其中所述第一接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：Ti、Ta、Cr、W、Nb、TiN、Mo、CrNi以及TaN。

16.如权利要求1或权利要求15所述的结构，其中所述第二接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：Ag、Ni、Ni/Au以及Ni/Ag。

17.如权利要求1、15或16中任一项所述的结构，还包括扩散屏障金属层，所述扩散屏障金属层被布置在所述第一接触金属层和所述第二接触金属层之间。

18.如权利要求17所述的结构，其中所述扩散屏障金属层包含选自由以下组成的组的材料：Ti、Ta、Cr、W、Nb、TiN、TaN、CrNi以及Mo。

19.如权利要求17或权利要求18所述的结构，其中所述第一接触金属层和所述扩散屏障金属层以交替的层被沉积。

20.如权利要求1或15-19中任一项所述的结构，还包含与所述第二接触金属层直接接触的硬焊料或软焊料。

21.如权利要求1所述的结构，其中所述第一接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：TiW、TiB₂、Y以及MCrAlY，其中M是Co、Ni或Fe。

22.如权利要求1或权利要求21所述的结构，其中所述第二接触金属层包含选自由以下组成的组的材料：Ni、Ag以及Au。