[发明专利]用于对大面积的基板覆层的CVD或PVD反应器

说明书

本发明涉及一种CVD或PVD覆层装置，具有壳体(1、2)和固定在壳体(1、2)上的具有进气机构(7)的组件(23)，所述进气机构具有具备排气口(8)的、在排气平面内延伸的排气面(7’)，所述组件(23)通过固定件(13、14)固定在壳体(1)的上部区段中的多个悬挂位置(6’)上，其中，设有调温件(9)，所述进气机构(7)借助所述调温件能够从基本上与壳体(1、2)温度相当的第一温度调温至与壳体温度不同的第二温度，其中，所述固定件(13、14)具有力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)，当由于调温导致组件(23)的尺寸发生变化时，所述力传递件发生变形或相对移动。所述组件包括固持装置(3)，所述进气机构(7)借助多个在整个水平的延伸面上分散布置的悬吊件(6)固定在所述固持装置(3)上，并且所述固持装置(3)通过所述力传递件(26.1、26.2、26.3、26.4；27、28、29)固定在所述壳体(1)上。

技术领域

本发明涉及一种CVD(化学气相沉积)或PVD(物理气相沉积)覆层装置，其具有壳体、固定在壳体上的进气机构、具有固定在壳体的上部区段上的固持装置，所述进气机构具有具备排气口的排气面，进气机构在多个悬挂位置上固定在所述固持装置上。

背景技术

在EP 1 815 493 B1中描述了这种类型的覆层装置，其示出覆层装置的壳体，在壳体内安置有固持装置，该固持装置固持进气机构。类似的设备在US 2008/0317973 A1中描述。

这种类型的覆层装置具有用于容纳待覆层的基板的基座和承担气体分配器作用的进气机构，处理气体通过进气机构可以被导入处理室内，处理室在气体分配器的下侧和基座之间延伸。气体分配器在其下侧具有多个排气口，处理气体通过排气口可以进入处理室内。在气体分配器的内部，用于分配处理气体的腔室位于排气口上。这种类型的气体分配器例如在DE 10 2013 101 534 A1内描述。

为了沉积OLED，在被加热的气体分配器内借助运载气体输入气态的有机的初始材料。气态的初始材料穿过排气口进入处理室内，以便在基板上冷凝，基板为此放置在被冷却的基座上。基板可以具有大于1m²的表面。随之要求制造具有2m至3m的基座对角线的CVD或PVD反应器。因为进气机构必须在基座的整个表面上延伸，所以需要提供具有2m至3m的对角线的进气机构。处理室具有数厘米的处理室高度。为了在整个基板表面上可以沉积相同的层厚度和相同的层质量，要求处理室高度在较小的公差范围内在整个处理室之上具有恒定的值。沉积过程在低压范围内开始，也就是在这个范围内大气压对壳体壁施加非常高的变形力。无法避免的是，壳体在压力下降时发生变形。此外，进气机构被加热，使得相对于机械力附加地要考虑热膨胀现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，如此改进这种类型的覆层装置，使得在整个基座面之上的或者在进气机构的排气面上的处理室高度仅在较小公差范围内变化。

所述技术问题通过在权利要求中提供发明解决，其中，每个权利要求原则上示出技术问题的独立的解决方案。