[发明专利]制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法、用于有机发光二极管的光提取基底及包括其的有机发光二极管

权利要求书

1.一种制造用于有机发光二极管的光提取基底的方法，所述方法包括以下步骤：

通过将包含第一金属氧化物的溶胶-凝胶溶液与由SiO₂或第二金属氧化物形成的多个散射颗粒进行混合来制备混合物，其中，SiO₂和第二金属氧化物的折射率不同于第一金属氧化物的折射率；

利用混合物涂覆基础基底；

对涂覆基础基底的混合物进行烧制以在基础基底上形成基质层，基质层由第一金属氧化物形成并且具有分散在其中的所述多个散射颗粒；以及

通过施用折射率与基质层的折射率不同的材料来在基质层的表面上形成填充层，

其中，填充层填充在对混合物进行烧制过程中在基质层中产生的裂纹，所述多个散射颗粒和裂纹的形状被传送到填充层的表面。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，填充层的表面粗糙度低于基质层的表面粗糙度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，将溶胶-凝胶溶液的浓度控制为0.5M或更大。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，第一金属氧化物包括从由TiO₂、ZrO₂、ZnO₂和SnO₂组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，第二金属氧化物包括从由TiO₂、ZnO₂和SnO₂组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，在制备混合物的步骤中，所述多个散射颗粒中的至少一部分分别包括中空的核和围绕核的壳。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在400℃至800℃的温度下对混合物进行烧制。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，在对混合物进行烧制的步骤中，在基质层内形成多个不规则形状的空隙。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述多个不规则形状的空隙的尺寸在50nm至900nm的范围。

10.一种用于有机发光二极管的光提取基底，所述光提取基底包括：

基础基底；

基质层，设置在基础基底上并且由第一金属氧化物形成；

多个散射颗粒，分散在基质层内并且由SiO₂或第二金属氧化物形成，SiO₂和第二金属氧化物的折射率不同于第一金属氧化物的折射率；以及

填充层，施用到基质层的表面，其中

基质层具有产生在基质层中的裂纹，裂纹散射由有机发光二极管发射的光，

填充层填充裂纹，

填充层具有从所述多个散射颗粒的形状和裂纹的形状传送的形状的表面褶皱。

11.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，填充层的表面粗糙度低于基质层的表面粗糙度。

12.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，基质层由从由TiO₂、ZrO₂、ZnO₂和SnO₂组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合形成。

13.根据权利要求10所述的光提取基底，其中，所述多个散射颗粒由从由TiO₂、ZnO₂和SnO₂组成的候选组选择的一种金属氧化物或者两种或更多种金属氧化物的组合形成。