[发明专利]多阻挡层封装叠层有效
| 申请号: | 201580071038.0 | 申请日: | 2015-11-17 |
| 公开(公告)号: | CN107112200B | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
| 发明(设计)人: | A·M·贾恩;J-C·吉龙 | 申请(专利权)人: | SAGE电致变色显示有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 章蕾 |
| 地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 阻挡 封装 | ||
1.一种包括多层封装叠层的设备,所述设备包括:
基板;和
多层封装叠层,所述多层封装叠层施加于所述基板并且构造成限制在所述基板与周围环境之间的环境元素渗透,其中,所述多层封装叠层包括:
多个连贯地施加的薄膜阻挡层,其中,在在前施加的薄膜阻挡层的当前暴露的层表面经由清洁过程被至少部分地清洁之后将至少一个单独的薄膜阻挡层施加于所述当前暴露的层表面,所述清洁过程至少部分地通过由一个或多个计算机系统控制的装置执行,使得至少一部分颗粒被承载远离所述当前暴露的层表面以产生清洁的当前暴露的层表面,当施加所述至少一个单独的薄膜阻挡层时所述清洁的当前暴露的层表面与未经由清洁过程清洁的所述当前暴露的层表面相比具有更少的颗粒,其中所述至少一个单独的薄膜阻挡层至少部分地填充所述清洁的当前暴露的层表面中由被承载远离的所述至少一部分颗粒所形成的暴露的间隙空间。
2.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述多层封装叠层包括特定数量的薄膜阻挡层,其中:
所述特定数量与在特定置信水平下的阈值概率相关,所述阈值概率为所述基板与所述周围环境之间的穿过所述特定数量的薄膜阻挡层中的一个或多个间隙空间的连续渗透路径的数量小于阈值的概率。
3.根据权利要求1所述的设备,其中:
至少部分地清除所述当前暴露的层表面的颗粒以暴露在所述当前暴露的层表面中由所述颗粒形成的间隙空间包括以下中的至少一个:
向所述当前暴露的层表面施加刷涂装置;
向所述当前暴露的层表面施加擦洗装置;
向所述当前暴露的层表面施加声波;
向所述当前暴露的层表面施加流体流;
向所述当前暴露的层表面引导二氧化碳薄片流;或者
向所述当前暴露的层表面引导气泡射流,所述气泡射流包括液态和气态物质的混合物。
4.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述装置包括构造成至少部分地基于选择性改变施加于所述单独的传导层节段的电压在至少两个单独的透射状态之间选择性地切换的照相机光圈滤光器。
5.根据权利要求1所述的设备,其中:
所述环境元素渗透包括水或氧气中的至少一者的渗透。
6.一种将至少基板构造成抵制外界环境与所述基板之间的环境元素渗透的方法,所述构造包括:
向所述基板施加多个阻挡层,使得至少一个阻挡层施加于当前暴露表面,所述当前暴露表面包括在前施加的阻挡层的暴露层表面;
将对所述当前暴露表面的清洁介入连续的阻挡层施加,使得每个连贯地施加的阻挡层施加于清洁的当前暴露表面;以及
在连续的阻挡层施加之间以及基于所产生的传感器数据判定所述多个阻挡层与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的至少一定数量的连续渗透路径无关的概率小于阈值,使得至少一个阻挡层至少部分地基于所述判定随后施加。
7.根据权利要求6所述的方法,其中:
将对所述当前暴露表面的清洁介入连续的阻挡层施加包括在所述当前暴露表面上执行清洁过程,所述清洁过程构造成去除存在于至少所述当前暴露表面上的至少一个颗粒并且暴露由所述至少一个颗粒形成的至少一个间隙空间,使得随后施加的阻挡层至少部分地填充所述至少一个暴露的间隙空间。
8.根据权利要求6所述的方法,其中,向所述基板施加所述多个阻挡层包括:
向所述基板施加特定数量的阻挡层,使得所述多个阻挡层包括所述特定数量的阻挡层;
其中,所述特定数量是与阈值概率相关的阻挡层的最低数量,所述阈值概率为所述多个阻挡层与穿过一个或多个间隙空间而穿过所述多个阻挡层的至少一定数量的连续渗透路径无关的概率。
9.根据权利要求6所述的方法,其中:
所述多个阻挡层中的至少一个阻挡层包括薄膜阻挡层,其中,施加所述薄膜阻挡层包括利用包括所述薄膜阻挡层的材料涂布当前暴露表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于SAGE电致变色显示有限公司,未经SAGE电致变色显示有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580071038.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:空气净化器(Cocoon)
- 下一篇:母线隔离开关断接引线的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





