[发明专利]化学机械抛光(CMP)组合物在抛光包含钴和/或钴合金的基材中的用途

权利要求书

1.化学机械抛光(CMP)组合物(Q)在化学机械抛光包含(i)钴和/或(ii)钴合金的基材(S)中的用途，其中CMP组合物(Q)包含

(A)无机颗粒，

(B)具有通式(I)的三嗪衍生物

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、C₂-C₁₀烷基羧酸、羟甲基、乙烯基或烯丙基，其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶不同时为H，

(C)至少一种氨基酸，

(D)至少一种氧化剂，

(E)含水介质且

其中CMP组合物(Q)的pH为7至10，

其中具有通式(I)的化合物(B)的总量按相应CMP组合物的总重量计在0.003重量％至0.1重量％范围内。

2.根据权利要求1的CMP组合物(Q)的用途，其中无机颗粒(A)为胶态无机颗粒。

3.根据权利要求1的CMP组合物(Q)的用途，其中胶态无机颗粒为二氧化硅颗粒。

4.根据权利要求2的CMP组合物(Q)的用途，其中胶态无机颗粒为二氧化硅颗粒。

5.根据权利要求1的CMP组合物(Q)的用途，其中化合物(B)具有通式(I)且其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、C₂-C₁₀烷基羧酸、羟甲基或烯丙基。

6.根据权利要求2的CMP组合物(Q)的用途，其中化合物(B)具有通式(I)且其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、C₂-C₁₀烷基羧酸、羟甲基或烯丙基。

7.根据权利要求3的CMP组合物(Q)的用途，其中化合物(B)具有通式(I)且其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、C₂-C₁₀烷基羧酸、羟甲基或烯丙基。

8.根据权利要求4的CMP组合物(Q)的用途，其中化合物(B)具有通式(I)且其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、乙基、丙基、丁基、C₂-C₁₀烷基羧酸、羟甲基或烯丙基。

9.根据权利要求1至8中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中化合物(B)具有通式(I)且其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵及R⁶彼此独立地为H、甲基、叔丁基、己酸、羟甲基或烯丙基。

10.根据权利要求1至8中任一项的CMP组合物(Q)的用途，其中至少一种氨基酸(C)为甘氨酸、丙氨酸、亮氨酸、缬氨酸、半胱氨酸、丝氨酸及脯氨酸或其盐。