[发明专利]反射镜装置

说明书

本发明涉及一种反射镜装置(29)，其包括至少一个导电屏蔽元件(25)，其形成在与反射镜体(35)的至少一个侧表面(22)和/或后侧(21)相邻的区域中产生电场的机构。

相关申请的交叉引用

本专利申请要求德国专利申请DE 10 2014 226 272.0的优先权，其内容通过引用并入本文。

技术领域

本发明涉及一种反射镜装置，特别是一种EUV投射曝光设备的反射镜装置。本发明还涉及一种投射曝光设备的照明光学单元、一种具有这样的照明光学单元的照明系统以及具有这样的照明光学单元的投射曝光设备。最后，本发明涉及一种制造微结构化或纳米结构化部件的方法，并且涉及根据该方法制造的部件。

背景技术

例如，WO 2009/100856 A1公开了一种用于投射曝光设备的分面反射镜，其具有多个单独可位移的单独反射镜。为确保投射曝光设备的光学质量，需要可位移单独反射镜的非常精确的定位。

发明内容

本发明基于改善反射镜装置，尤其是投射曝光设备的反射镜装置的目标。此目标通过以下实现：具有至少一个反射镜和至少两个导电屏蔽元件的反射镜装置，不同电压可以施加到至少两个导电屏蔽元件；以及在与至少一个侧表面和/或后侧相邻的区域中产生电场的机构。

根据本发明，已经认识到这样的电场可以起到屏蔽预定体积免受自由电荷影响的作用。通过根据本发明的屏蔽元件，尤其可以确保屏蔽的反射镜的后侧后面的体积免受自由电荷影响。尤其可以确保屏蔽敏感部件(尤其是起到控制反射镜的位移和/或确定反射镜的位置的作用的部件，尤其是致动器和/或传感器和/或相关信号线路)免受自由电荷影响。

反射镜装置尤其是用于投射曝光设备中的光学部件，尤其是用于EUV投射曝光设备中的光学部件。反射镜装置尤其用于稀薄气体环境中，尤其用于具有最高50Pa的降低的压力，尤其是H₂的分压的真空环境或氢气环境中。

反射镜体的前侧尤其包括反射表面。该前侧尤其可以形成反射表面。反射表面尤其可以延伸在反射镜体的整个前侧之上。

反射镜尤其形成为用于EUV辐射的反射镜。其尤其设计为用于EUV范围内的辐射的反射，尤其用于具有5nm至30nm范围内的波长、尤其是13.5nm的波长的辐射。反射表面可以由多层形成。反射镜也可以为用于DUV或VUV辐射的反射镜。

反射镜装置尤其适用于可抽真空的腔中。其尤其可以布置在投射曝光设备的可抽真空的腔中，可抽真空的腔在投射曝光设备运行期间抽真空到低于50Pa，尤其是低于20Pa，尤其是低于10Pa，尤其是低于5Pa的压力。此压力特别地给出腔中的氢气的分压。

反射镜装置尤其适用于部分或完全电离的环境中，尤其在等离子体环境中。

还已经认识到，照明辐射可以导致反射镜装置的环境中的电离或等离子体形成。在没有适当的保护措施的情况下，这可具有以下效应：带电粒子到达反射镜的后侧，尤其是反射镜后面的体积，尤其是用于反射镜的位移的致动器和/或传感器和/或它们的连接线路，并且因此导致反射镜的定位的扰动。根据本发明，设想通过以下来防止此发生：在与反射镜的至少一个侧表面和/或后侧相邻的区域中产生电场。适当电场可以尤其具有以下效果：防止由照明辐射电离的粒子到达反射镜后面要保护的体积。

根据本发明的一方面，电场具有高达10⁷V/m的场强度，尤其是高达10⁸V/m。场强度尤其为最低10⁵V/m，尤其最高10⁶V/m。

电场可以尤其具有以下效果：屏蔽直接在反射镜体后面的区域中的体积，尤其是平行投射的情况下在与未枢转状态下的反射镜的反射表面的法线平行的方向上定界的体积。此体积也称为投影体积。