[发明专利]化合物、包含其的混合物、组合物和有机电子器件

说明书

本发明公开一种氘代的吲哚并咔唑类化合物，及包含其的组合物和有机电子器件。所述氘代的吲哚并咔唑类化合物，在吲哚并咔唑共轭结构中，用C‑D键任选取代C‑H键，可以降低反应活性，赋予该基团更优选的化学和环境稳定性。本发明将氘代的吲哚并咔唑类化合物应用到有机电子器件中，提供了一种提高器件稳定性和寿命的解决方案。

技术领域

本发明涉及电致发光材料领域，尤其涉及一种化合物(氘代的吲哚并咔唑类化合物)，包含其的混合物，组合物和有机电子器件。

背景技术

因为有机半导体材料的在合成上的多样性，实现大面积柔性器件的可能，低的制造成本和高性能的光学和电学性能，有机发光二极管(OLED)在新颖的光电器件的实现中，例如，在平板显示器和照明应用，有很大的潜力。为了提高有机发光二极管的发光效率，各种基于荧光和磷光发光材料体系已被开发出来。使用荧光材料的有机发光二极管，已具有可靠性高，但在电场激发下其内部电致发光量子效率被限制为25％，因为激子的单重激发态和三重激发态的分支比为1:3。与此相反，使用磷光材料的有机发光二极管已经取得了几乎100％的内部发光量子效率。然而，磷光OLED的稳定性还需提高。磷光OLED的稳定性，除了发光体本身，主体材料是关键。

吲哚并咔唑类化合物由于具有较高的载流子传输能力、光电响应性质和热稳定性等优点，成为学术界和产业界关注的焦点，并广泛应用于有机发光二极管中。但目前开发的大部分吲哚并咔唑类衍生物仍然存在着化学/环境稳定性较差的不足，主要是因为这类材料结构中氮原子的孤对电子，共轭到苯环中，形成电子云密度较大、反应活性较高的C-H键，致使这类型化合物的化学/环境稳定性较差、器件寿命较短。

为了提高吲哚并咔唑类化合物的稳定性及器件寿命，人们寻求降低C-H键的反应活性的方法。一种方案是引入缺电子单元，使得电子云向缺电子单元的方向转移，降低C-H的电子云密度及反应活性。但缺电子的引入同时可能会带来电化学能级的变化等问题(Adv.Funct.Mater.,2014,24,3551–3561)。

对材料的稳定性和器件寿命不断提高的需求，迫使人们寻求更稳定的光电性能材料。

发明内容

本发明的各方面中提供了一种化合物(氘代的吲哚并咔唑类化合物)，包含相关的混合物和组合物、及其在有机电子器件中的应用，其可以解决现有的吲哚并咔唑类化合物材料及相关的有机电子器件稳定性及器件寿命低的问题。

本发明的一个方面中所提供的技术方案如下：

一种化合物，包括如下所示的通式(1)：

其中，

X可以为芳香环或芳杂环，