[发明专利]异质结双极晶体管有效
| 申请号： | 201580067957.0 | 申请日： | 2015-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN107004600B | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 大部功;吉田茂 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 异质结 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种异质结双极晶体管，是在GaAs基板上具有发射极层、基极层、以及集电极层的异质结双极晶体管，其中，
上述发射极层由InGaP构成，
上述基极层由具有与GaAs大致晶格匹配的组成的GaAsPBi构成，
上述基极层的GaAs(1－Y－Z)P(Y)Bi(Z)的组成为0＜Z≤0.07。
2.根据权利要求1所述的异质结双极晶体管，其中，
上述基极层的GaAsPBi的晶格常数与GaAs的晶格常数之差在0.12％以内。
3.根据权利要求1或2所述的异质结双极晶体管，其中，
还具有发射极镇流电阻层。
4.根据权利要求3所述的异质结双极晶体管，其中，
上述发射极镇流电阻层由AlGaAs构成。
5.一种异质结双极晶体管，其中，
该异质结双极晶体管通过权利要求1～4中任意一项所述的异质结双极晶体管并联连接而构成。
6.一种功率放大模块，其中，
具备权利要求1～5中任意一项所述的异质结双极晶体管作为功率放大元件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社村田制作所，未经株式会社村田制作所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201580067957.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
