[发明专利]CVD涂层切削工具有效
申请号: | 201580067551.2 | 申请日: | 2015-12-17 |
公开(公告)号: | CN107002237B | 公开(公告)日: | 2020-06-30 |
发明(设计)人: | 卡尔·比约恩曼德;埃里克·林达尔;扬·恩奎斯特 | 申请(专利权)人: | 山特维克知识产权股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/40 | 分类号: | C23C16/40;C23C16/32;C23C16/34;C23C16/36 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 王潜;郭国清 |
地址: | 瑞典桑*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | cvd 涂层 切削 工具 | ||
1.一种涂层切削工具,所述涂层切削工具包含涂有涂层的基底,所述涂层包含α-Al2O3层,其中在20℃下用10kHz、100mV的AC测量,所述α-Al2O3层具有10-6≤tanδ≤25×10-4的介电损耗。
2.根据权利要求1所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的厚度为2-20μm。
3.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的介电损耗tanδ高于或等于10-5。
4.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的介电损耗tanδ低于或等于20×10-4。
5.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的介电损耗tanδ是在所述切削工具的后刀面上测量的。
6.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中通过使用CuKα辐射和θ-2θ扫描的X-射线衍射的测量,所述α-Al2O3层具有根据Harris公式定义的织构系数TC(hkl)
其中I(hkl)是测得的(hkl)反射强度(积分面积),
I0(hkl)为根据ICDD的PDF-卡号00-010-0173的标准强度,n是用于计算中的反射的数量,并且其中所使用的(hkl)反射是(1 0 4)、(1 1 0)、(1 1 3)、(0 2 4)、(1 1 6)、(2 14)、(3 0 0)和(0 0 12),
其特征在于TC(hkl)值高于6。
7.根据权利要求6所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的TC(0 0 12)高于6。
8.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述α-Al2O3层的残余应力水平是100-500Mpa,其中所述残余应力是张力。
9.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述涂层还包含耐火层,所述耐火层含有选自TiCN、TiN、TiC、ZrN、ZrCN、ZrC、HfN、HfC、HfCN或其组合的材料,所述耐火层位于所述基底和所述α-Al2O3层之间。
10.根据权利要求9所述的涂层切削工具,其中所述耐火层的厚度是4-20μm。
11.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,所述涂层切削工具还包含最外面的TiN层。
12.根据权利要求1或2所述的涂层切削工具,其中所述基底是硬质合金、金属陶瓷、陶瓷。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的