[发明专利]分析物感测装置

权利要求书

1.一种用于对对象中的分析物浓度进行检测的设备，所述设备包括：

植入式单元，其被配置成植入所述对象的身体中，并且所述植入式单元包括：

(a)荧光传感器分子，所述荧光传感器分子中的每一个包括(i)所述分析物的结合位点，(ii)供体荧光团，以及(iii)受体荧光团；以及

(b)第一植入式单元光源，其被配置成产生具有适于所述供体荧光团的激发的第一照射峰值波长的光；

(c)第二植入式单元光源，其被配置成产生具有适于所述受体荧光团的直接激发的第二照射峰值波长的光；

(d)第三植入式单元光源，其被配置成发射具有适于有效穿透组织的峰值波长的光；以及

外部系统，其与所述植入式单元物理上分开且不同，并且所述外部系统包括：

(a)外部读取单元，其包括光传感器，所述光传感器被配置成感测从所述受体荧光团发射的荧光；以及

(b)一个或更多个处理器，所述一个或更多个处理器被配置成：

(i)在一个或更多个第一时间段期间：(a)驱动所述第一植入式单元光源以产生具有所述第一照射峰值波长的光，以及(b)从所述光传感器接收从所述受体荧光团发射的所述荧光的一个或更多个第一测量值，

(ii)在与所述第一时间段不交叠的一个或更多个第二时间段期间：(a)驱动所述第二植入式单元光源以产生具有所述第二照射峰值波长的光，以及(b)从所述光传感器接收从所述受体荧光团发射的所述荧光的一个或更多个第二测量值，以及

(iii)基于所述第一测量值和所述第二测量值来计算所述对象中的所述分析物的浓度，

其中，所述设备被配置成测量所述植入式单元处的温度，

其中，所述植入式单元被配置成使用所述第三植入式单元光源来传输指示所测得的温度的光信号，其中，由所述第三植入式单元光源发射的所述光信号的强度不随着所述荧光传感器分子的水平或所述分析物的浓度而改变，并且

其中，所述外部系统的所述一个或更多个处理器被配置成利用所测得的温度生成校准信息，并且利用所述校准信息来计算所述分析物的浓度。

2.根据权利要求1所述的设备，其中，所述植入式单元还包括植入电路系统，所述植入电路系统(a)被配置成使用所述第三植入式单元光源来产生光脉冲链，并且所述植入电路系统(b)包括至少一个温度敏感元件，

其中，所述植入式单元被配置成使得所述至少一个温度敏感元件根据温度引起连续光脉冲之间的时间的变化，并且

其中，所述外部系统被配置成通过分析所接收到的光信号来识别所述时间的变化。

3.根据权利要求1所述的设备，其中，所述外部读取单元被配置成通过分别以不同的第一频率和第二频率发射电磁辐射来分别驱动所述第一植入式单元光源和所述第二植入式单元光源以产生具有所述第一照射峰值波长及所述第二照射峰值波长的光。

4.根据权利要求1所述的设备，其中，所述植入式单元还包括在其中布置有所述荧光传感器分子的至少一个传感器分子室。

5.根据权利要求1所述的设备，其中，所述荧光传感器分子为荧光传感器蛋白。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述第一照射峰值波长大于300nm且小于550nm。

7.根据权利要求6所述的设备，其中，所述第一照射峰值波长小于525nm。

8.根据权利要求7所述的设备，其中，所述第一照射峰值波长小于500nm。

9.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述第二照射峰值波长大于300nm且小于650nm。

10.根据权利要求1至5中任一项所述的设备，其中，所述第一照射峰值波长大于300nm且小于550nm，并且所述第二照射峰值波长大于300nm且小于650nm。