[发明专利]具有板形分立元件的电存储系统、板形分立元件、其制造方法及其应用

权利要求书

1.一种厚度小于2mm的电存储系统，其包括至少一个板形分立元件，其中，所述板形分立元件具有高的对碱金属或碱金属的离子、尤其锂的侵蚀的耐受性，其中，所述板形分立元件具有下述组成，所述组成的特征在于包含最高2重量％的TiO₂含量、优选最高0.5重量％的TiO₂含量、以及非常特别优选无TiO₂。

2.尤其根据权利要求1所述的厚度小于2mm的电存储系统，其包括至少一个板形分立元件，其中，所述板形分立元件具有高的对碱金属或碱金属的离子、尤其锂的侵蚀的耐受性，其中，所述至少一个板形分立元件包含或包括锂。

3.尤其根据权利要求1或2所述的厚度小于2mm的电存储系统，其包括至少一个板形分立元件，其中，所述板形分立元件具有高的对碱金属或碱金属的离子、尤其锂的侵蚀的耐受性，其中，所述至少一个板形分立元件的Li₂O含量为7.0重量％或以下、优选为5.2重量％或以下、特别优选为2.5重量％或以下、非常特别优选为0.5重量％或以下、最优选为0.2重量％或以下，其中，Li₂O含量至少为0.1重量％，以及其中，锂浓度能在所述板形分立元件的横截面上变化。

4.优选根据权利要求1至3中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个板形分立元件的至少一个表面构造成，所述至少一个表面对与该表面接触的材料是惰性的和/或具有减小的可透过性和/或是不可透过的。

5.根据权利要求4所述的电存储系统，其中，所述至少一个表面构造成屏障或屏障层。

6.根据权利要求5所述的电存储系统，其中，所述屏障构造成针对金属扩散的屏障。

7.根据权利要求6所述的电存储系统，其中，所述屏障层构造成针对碱金属扩散的屏障。

8.根据权利要求7所述的电存储系统，其中，所述屏障层通过掺杂或过掺杂有至少一种碱金属而形成。

9.根据权利要求4至8中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个表面的屏障作用构造为针对锂。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个板形分立元件包括至少一种氧化物或包括多种氧化物的混合物或化合物。

11.根据权利要求1至10中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个板形分立元件包含SiO₂作为氧化物。

12.尤其根据权利要求1至11中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个板形分立元件具有以下以重量％计的组成：

其中，MgO、CaO、SrO和BaO的含量的和在8重量％至18重量％的范围中，以及其中，还可包括呈杂质或必要的与工艺相关的添加剂、例如澄清剂形式的其他组分，其中，这些组分的总和不高于2重量％。

13.尤其根据权利要求1至12中任一项所述的电存储系统，其中，相对于直径在＞100mm的范围中、尤其横向尺寸为100mm·100mm的晶片或基板尺寸、优选相对于直径在＞200mm的范围中、尤其横向尺寸为200mm·200mm的晶片或基板尺寸、特别优选相对于直径在＞400mm的范围中、尤其横向尺寸为400mm·400mm时的晶片或基板尺寸，所述元件具有不大于25μm、优选不大于15μm、特别优选不大于10μm以及非常特别优选不大于5μm的厚度变化。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的电存储系统，其特征在于，所述至少一个板形分立元件的水蒸气穿透率(WVTR)为＜10^-3g/(m²·d)、优选＜10^-5g/(m²·d)、并且特别优选＜10^-6g/(m²·d)。

15.根据权利要求1至14中任一项所述的电存储系统，其中，所述至少一个板形分立元件的厚度为小于2mm、优选小于1mm、特别优选小于500μm、非常特别优选小于或者等于200μm，以及最优选不大于100μm。