[发明专利]用于射频应用的结构

权利要求书

1.一种用于射频应用的结构(1,1’,11)，其包括：

·半导体支撑衬底(2)；

·捕获层(3)，其布置在支撑衬底(2)上；

其中，捕获层(3)的特征在于，其包括包含1％至20％的碳的多晶硅并且包括大于预定缺陷密度的缺陷密度，所述预定缺陷密度为这样的缺陷密度：其使得在-20℃与+120℃之间的温度范围内，捕获层(3)的电阻率大于或等于10kohm.cm。

2.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)在20℃具有大于10kOhm.cm的电阻率。

3.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)在20℃具有大于50kOhm.cm的电阻率。

4.根据上述权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，在100℃与1200℃之间，捕获层(3)与支撑衬底(2)之间的热膨胀系数的差小于5ppm/K。

5.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括尺寸小于20nm的微结构。

6.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括尺寸小于10nm的微结构。

7.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)包括多孔材料或多晶材料。

8.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)的厚度在10μm与50μm之间。

9.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，捕获层(3)的厚度在20μm与30μm之间。

10.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，支撑衬底(2)包括选自以下材料的至少一种材料：硅、硅锗和碳化硅。

11.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，支撑衬底(2)的电阻率在10Ohm.cm与2000Ohm.cm之间。

12.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，有源层(5)布置在捕获层(3)上。

13.根据权利要求12所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，有源层(5)由半导体材料形成。

14.根据权利要求12所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，有源层(5)由压电材料形成。

15.根据权利要求12至14中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，有源层(5)的厚度在10μm与50μm之间。

16.根据权利要求12至14中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，电介质层(4)布置在捕获层(3)与有源层(5)之间。

17.根据权利要求16所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，电介质层(4)在10nm与6μm之间。

18.根据权利要求12至14中的任一项所述的用于射频应用的结构(1,1’,11)，其中，至少一个微电子器件存在于有源层(5)上或有源层(5)中，其中，所述微电子器件为开关电路或者天线适配电路或者射频功率放大电路。