[发明专利]二极管激光器系统的电流驱动器

权利要求书

1.用于二极管系统的电流驱动器，包括：

电流调节器，被配置为从电源接收偏置电压，其中所述偏置电压使所述电流调节器的顺从电压范围偏移以包括二极管负载的拐点电压，并且其中所述偏置电压具有与偏移的顺从电压范围的下限对应的值；和

开关元件，其耦合到电流调节器和所述二极管负载，所述开关元件被配置为检测由电流调节器输出的电压电平以向所述二极管负载提供驱动电流，其中所述开关元件具有(a)当由所述电流调节器输出以向所述二极管负载供给驱动电流的电压电平小于偏置电压的值时的高阻抗，(b)当由所述电流调节器输出以向所述二极管负载供给驱动电流的电压电平大于阈值电压值和所述偏置电压值的和时为低阻抗。

2.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述顺从电压范围的幅度为60V以下。

3.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述开关元件是PMOS晶体管，并且所述PMOS晶体管的源极节点耦合到所述电流调节器，所述PMOS晶体管的栅极节点被所述偏置电压偏置，并且PMOS晶体管的漏极节点提供驱动电流到所述二极管负载的路径。

4.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述开关元件是NMOS晶体管，并且所述NMOS晶体管的源极节点耦合到所述电流调节器，所述NMOS晶体管的栅极节点被所述偏置电压偏置，并且所述NMOS晶体管的漏极节点提供驱动电流到所述二极管负载的路径。

5.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述电流调节器由电源电压与所述偏置电压之间的差供电，所述电源电压在幅度上是所述偏置电压的两倍。

6.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述电流调节器由电源电压与所述偏置电压之间的差供电，所述电源电压在幅度上小于所述偏置电压的两倍。

7.根据权利要求1所述的电流驱动器，还包括与耦合到所述电流调节器的输出节点的电容器串联耦合的阻尼电阻器，其中所述阻尼电阻器具有选自15毫欧至1000毫欧之间的包含15毫欧和1000毫欧在内的范围的电阻。

8.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述电流调节器是同步降压转换器。

9.根据权利要求1所述的电流驱动器，其中所述电流调节器的调制频率为100kHz或更小。

10.二极管系统，包括：

二极管负载；

配置为输出偏置电压的电源；

电流调节器，其耦合到所述电源并且被配置为从所述电源接收所述偏置电压，其中所述偏置电压使所述电流调节器的顺从电压范围偏移以包括所述二极管负载的拐点电压，并且其中偏置电压具有与偏移的顺从电压范围的下限对应的值；和

开关元件，其耦合到所述电流调节器和所述二极管负载，所述开关元件被配置为检测由所述电流调节器输出以向所述二极管负载供给驱动电流的电压电平，其中所述开关元件具有(a)当由所述电流调节器输出以向所述二极管负载供给驱动电流的电压电平小于偏置电压的值时的高阻抗，(b)当由所述电流调节器输出以向所述二极管负载供给驱动电流的电压电平大于阈值电压值和所述偏置电压值的和时为低阻抗。

11.根据权利要求10所述的二极管系统，其中所述顺从电压范围的幅度为60V或更小。

12.根据权利要求10所述的二极管系统，其中所述开关元件是PMOS晶体管，并且所述PMOS晶体管的源极节点耦合到所述电流调节器，所述PMOS晶体管的栅极节点被所述偏置电压偏置，并且所述PMOS晶体管的漏极节点提供驱动电流到二极管负载的路径。