[发明专利]具有捆扎式触点的FinFET SRAM

权利要求书

1.一种用于半导体器件的装置，包括：

第一晶体管的第一鳍；

第二晶体管的第二鳍；

耦合至所述第一鳍的第一触点；

耦合至所述第二鳍的第二触点；以及

耦合至所述第一触点并耦合至所述第二触点的捆扎式触点，其中所述捆扎式触点位于层间电介质中的沟槽中，并且其中所述捆扎式触点中与所述第一触点和所述第二触点接触的第一表面是平坦的表面。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管是使用小于16纳米(nm)的半导体制造工艺来制造的。

3.如权利要求2所述的装置，其中所述半导体制造工艺是10nm工艺。

4.如权利要求2所述的装置，其中所述半导体制造工艺是7nm工艺。

5.如权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在逻辑电路中。

6.如权利要求5所述的装置，其中所述逻辑电路包括静态随机存取存储器(SRAM)位单元。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述第一鳍和所述第二鳍包括硅。

8.如权利要求1所述的装置，其中所述第一触点、所述第二触点、以及所述捆扎式触点包括钨、铜、硅化物、或任何其他金属。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被集成到至少一个半导体器件中。

10.如权利要求1所述的装置，进一步包括其中集成了所述第一晶体管和所述第二晶体管的设备，所述设备选自包括以下各项的组：娱乐单元、通信设备、位置固定数据单元、以及计算机。

11.如权利要求1所述的装置，进一步包括其中集成了所述第一晶体管和所述第二晶体管的设备，所述设备选自包括以下各项的组：移动电话、个人数字助理(PDA)、平板设备、音乐播放器、视频播放器、以及导航设备。

12.一种用于在使用小于16纳米(nm)的半导体制造工艺制造的半导体器件中形成触点的方法，所述方法包括：

图案化第一光阻材料以将第一图案施加到硬掩模，所述第一图案被设计成暴露第一晶体管的第一鳍；

图案化第二光阻材料以将第二图案施加到所述硬掩模，所述第二图案被设计成暴露第二晶体管的第二鳍；

根据所述第一图案将第一沟槽蚀刻穿过层间电介质以暴露所述第一鳍；

根据所述第二图案将第二沟槽蚀刻穿过所述层间电介质以暴露所述第二鳍；

将金属沉积到所述第一沟槽中以形成第一触点；

将金属沉积到所述第二沟槽中以形成第二触点；以及

形成耦合至所述第一触点并耦合至所述第二触点的捆扎式触点，其中形成所述捆扎式触点包括：

图案化掩模以将第三沟槽蚀刻穿过所述层间电介质至所述第一触点并至所述第二触点；以及

将金属沉积到所述第三沟槽中以形成所述捆扎式触点，其中所述捆扎式触点中与所述第一触点和所述第二触点接触的第一表面是平坦的表面。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体制造工艺是10nm工艺。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述半导体制造工艺是7nm工艺。

15.如权利要求12所述的方法，进一步包括，在形成所述捆扎式触点之前执行平坦化工艺以平滑所述第一触点和所述第二触点。

16.如权利要求12所述的方法，其中所述第一晶体管和所述第二晶体管被包括在逻辑电路中。