[发明专利]共享位线MRAM的系统和方法

权利要求书

1.一种自旋转移矩(STT)磁性存储器，包括：

多列STT磁性存储器元件，其中，各STT磁性存储器元件包括顶部电极和底部电极；

多条共享位线，所述多条共享位线覆盖所述多列STT磁性存储器元件，其中，所述多条共享位线中的至少一条共享位线耦合到具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的组中的STT磁性存储器元件的顶部电极；以及

多条源线，所述多条源线中的每条源线能够切换地耦合到所述多列STT磁性存储器元件中的对应一列中的STT磁性存储器元件的底部电极；

其中，所述多条共享位线的至少子集中的每条共享位线耦合到具有所述多列STT磁性存储器元件之中的至少R个毗邻列的STT磁性存储器元件的对应不同组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，其中，R是大于一的整数；

其中，所述多列STT磁性存储器元件中的所述至少R个毗邻列、或所述多列STT磁性存储器元件中的另一至少R个毗邻列、或两者由中心到中心列间距间隔开，其中，所述多条共享位线中的至少两条共享位线彼此毗邻地延伸并且由共享位线间距间隔开，并且其中，所述共享位线间距是所述中心到中心列间距的大约R倍。

2.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线被配置在上部金属化层中。

3.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的组包括具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第一组，其中，所述多条共享位线中的第一共享位线耦合到所述具有至少两列STT磁性存储器元件的第一组中的STT磁性存储器元件的顶部电极，并且其中，所述多条共享位线中的第二共享位线耦合到具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第二组中的STT磁性存储器元件的顶部电极。

4.如权利要求3所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第一组包括所述多列STT磁性存储器元件之中的至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件，并且其中，所述具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第二组包括所述多列STT磁性存储器元件之中的另一至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件。

5.如权利要求4所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第一组毗邻于所述具有所述多列STT磁性存储器元件中的至少两列的第二组。

6.如权利要求5所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件由中心到中心列间距间隔开，其中，所述另一至少两个毗邻列的STT磁性存储器元件由所述中心到中心列间距间隔开，并且其中，所述第一共享位线与所述第二共享位线间隔开共享位线间距，所述共享位线间距大于所述中心到中心列间距。

7.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线的至少所述子集中的每条共享位线在所述多列STT磁性存储器元件中的至少R个毗邻列上方延伸。

8.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，R为2，并且其中，所述中心到中心列间距是所述共享位线间距的大约一半。

9.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，R为4，并且其中，所述中心到中心列间距是所述共享位线间距的大约四分之一。

10.如权利要求1所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多列STT磁性存储器元件中的至少两个毗邻列中的STT磁性存储器元件的顶部电极耦合到所述多条共享位线中的对应一条共享位线。

11.如权利要求10所述的STT磁性存储器，其特征在于，所述多条共享位线中的对应一条共享位线在所述多列STT磁性存储器元件中的所述至少两个毗邻列上方并与其平行延伸。