[发明专利]温度补偿梁谐振器有效
| 申请号: | 201580064515.0 | 申请日: | 2015-10-02 |
| 公开(公告)号: | CN107005223B | 公开(公告)日: | 2021-06-04 |
| 发明(设计)人: | 安蒂·亚科拉;帕努·派克;米卡·普伦尼拉;托马斯·彭萨拉 | 申请(专利权)人: | 芬兰国家技术研究中心股份公司 |
| 主分类号: | H03H9/02 | 分类号: | H03H9/02;H03H9/24;H03H3/007 |
| 代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;陈伟 |
| 地址: | 芬兰*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 温度 补偿 谐振器 | ||
1.一种微机电谐振器装置,包括:
支撑结构,
悬挂在所述支撑结构上并包括至少一个梁的谐振器,
所述梁
具有纵向轴线,
用n型掺杂剂掺杂到掺杂浓度,以及
能够以长度-延伸、弯曲或扭转谐振模式谐振,
将所述长度-延伸、弯曲或扭转谐振模式激发到所述谐振器中的驱动器,其特征在于,
所述支撑结构和所述谐振器由(100)或(110)取向的半导体晶片制造,所述掺杂浓度至少为1.1*1020cm-3,
在所述谐振模式是长度-延伸或弯曲模式的条件下,所述梁的纵向轴线取向于相对于晶片的[100]晶体方向为17±10度的角度,以及
在所述谐振模式是扭转模式的条件下,所述梁的纵向轴线取向于相对于晶片的[110]晶体方向为0±35度的角度。
2.根据权利要求1所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振器仅包括一个梁。
3.根据权利要求2所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振器由所述梁组成。
4.根据权利要求1所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振器包括具有相对于彼此成角度的纵向轴线的至少两个梁。
5.根据权利要求1或4所述的谐振器装置,其特征在于,
所述谐振器包括纵向轴线以所述角度取向的至少两个梁,并且
如果所述谐振模式是长度-延伸或弯曲模式,则整个谐振器具有基本上与[100]方向平行的对称轴,如果所述谐振模式是扭转模式,则整个谐振器具有基本上与[110]方向平行的对称轴。
6.根据权利要求4所述的谐振器装置,其特征在于,所述梁从其端部彼此连接。
7.根据权利要求6所述的谐振器装置,其特征在于,包括以环形形式设置的三个以上的梁。
8.根据权利要求4所述的谐振器装置,其特征在于,
在所述谐振模式是长度-延伸或弯曲模式的条件下,所述至少两个梁从它们的第一端连接到具有基本上平行于[100]方向的对称轴的公共基部,或者在所述谐振模式是扭转模式的条件下,所述至少两个梁从它们的第一端连接到具有基本上平行于[110]方向的对称轴的公共基部,和
所述至少两个梁分别相对于[100]或[110]方向以相等的角度从公共基部延伸,但是在晶片平面内的所述方向的相反侧。
9.根据权利要求4所述的谐振器装置,其特征在于,所述梁彼此相交并在所述梁交叉区域悬挂到所述支撑结构。
10.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振器包括垂直于所述梁的纵向方向的对称轴。
11.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振模式是长度-延伸模式。
12.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器装置,其特征在于,所述模式是弯曲模式,弯曲平面位于晶片平面内和/或在晶片平面外。
13.根据权利要求11所述的谐振器装置,其特征在于,相对于[100]晶体方向,所述角度是为17±8度。
14.根据权利要求1-4中任一项所述的谐振器装置,其特征在于,所述谐振模式是扭转模式。
15.根据权利要求14所述的谐振器装置,其特征在于,所述至少一个梁的平面外纵横比小于2。
16.根据权利要求15所述的谐振器装置,其特征在于,所述至少一个梁的平面外纵横比小于1.5。
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