[发明专利]使用远紫外线辐射光刻的材料、组件和方法,及其它应用有效

专利信息
申请号: 201580064372.3 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN107209293B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 苏普利亚·杰西瓦尔 申请(专利权)人: 苏普利亚·杰西瓦尔
主分类号: G02B5/08 分类号: G02B5/08;G02B5/20;G02B1/115
代理公司: 上海申新律师事务所 31272 代理人: 董科
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 使用 紫外线 辐射 光刻 材料 组件 方法 其它 应用
【权利要求书】:

1.一种制造一个光学元件的方法,元件用于在一个0.1至250纳米的单一目标波长的范围内是反射的和透射的,包含:

提供一个基底;

将一组纳米级建筑模块装配入一个具有预定义设置的配置或支架结构;

使用原子层沉积,沉积一个材料的单一正形层进入已装配的配置或支架;

其中,组合的纳米级建筑模块和单一正形层与单一目标波长产生共振电磁相互作用,从而导致在目标波长产生增加的反射率或透射率。

2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,正形包覆的纳米级建筑模块旨在用于增加或减少超出沉积材料的对应容量的吸收。

3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在原子层沉积中使用一个钌、铌、碳、氢或钼前体的步骤。

4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括在原子层沉积中使用一个有机前体的步骤。

5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置是一维、两维或三维的。

6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个层。

7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个薄膜。

8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个形状,所述形状包括球形、金字塔形、环、多孔结构、圆柱体、螺旋形的、手性结构或半球形。

9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个块。

10.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个壳体。

11.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述配置包含一个或多个连接形状、自由形式的形状或片段。

12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括金属或有机材料。

13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括气体。

14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括碳。

15.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括半导体或绝缘体。

16.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括聚合物。

17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括化合物或石墨烯。

18.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括金属有机材料。

19.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述建筑模块包括单层材料;所述单层材料包括石墨烯、硅烯或锗烯。

20.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述支架结构是牺牲的,并且在去除后,材料内的孔洞形成至少部分的已装配配置。

21.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述材料在一个表面粗糙度小于1nm的表面上沉积,并具有足够的正形性,使沉积的材料的拓扑结构能够高度指示所述纳米级建筑块的形状。

22.如权利要求1所述的方法,还包括使用一个扫描电子显微镜或原子力显微镜,对纳米级建筑模块成像的步骤。

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