[发明专利]硅晶圆的研磨方法

权利要求书

1.一种硅晶圆的研磨方法，将供给至该硅晶圆而使用于研磨的含有研磨磨粒的使用过的研磨浆回收，并将该经回收的使用过的研磨浆循环供给至该硅晶圆而进行研磨，其中，

于该经回收的使用过的研磨浆不加入未经使用的研磨磨粒，以及

注入混合碱性溶液，而将该经回收的使用过的研磨浆循环供给至该硅晶圆而进行研磨，其中该混合碱性溶液包含螯合剂以及包含pH调整剂及研磨速率促进剂的其中一个或是两个，并且进一步包含以下步骤：

循环供给该使用过的研磨浆时，以吸亮度测定法对该经回收的使用过的研磨浆中的该螯合剂浓度予以测定；

自该测定结果，对该使用过的研磨浆中的该螯合剂予以定量；及

自该定量的结果，将该螯合剂混合入该混合碱性溶液中的混合条件，设定为使该使用过的研磨浆中的该螯合剂浓度为定值。

2.如权利要求1所述的硅晶圆的研磨方法，其中

作为该pH调整剂，使用KOH、NaOH、TMAH、K₂CO₃、Na₂CO₃、KHCO₃、NaHCO₃中的一种以上，

作为该研磨效率促进剂，使用胺类，

作为该螯合剂，使用分子内含有羧酸或磷酸的含氮化合物。

3.如权利要求1所述的硅晶圆的研磨方法，其中定期监视该硅晶圆研磨加工中的研磨速率，设定该pH调整剂及该研磨速率促进剂的其中一个或两个混合至该混合碱性溶液的混合条件，而使该研磨速率为固定。

4.如权利要求2所述的硅晶圆的研磨方法，其中定期监视该硅晶圆研磨加工中的研磨速率，设定该pH调整剂及该研磨速率促进剂的其中一个或两个混合至该混合碱性溶液的混合条件，而使该研磨速率为固定。

5.如权利要求1至4中任一项所述的硅晶圆的研磨方法，其中对以该硅晶圆而言直径在300mm以上者予以研磨。

6.如权利要求1至4中任一项所述的硅晶圆的研磨方法，其中于该硅晶圆的研磨中，研磨量为0.1μm以上。

7.如权利要求5所述的硅晶圆的研磨方法，其中于该硅晶圆的研磨中，研磨量为0.1μm以上。

8.如权利要求1至4中任一项所述的硅晶圆的研磨方法，其中该研磨磨粒为二氧化硅磨粒。

9.如权利要求5所述的硅晶圆的研磨方法，其中该研磨磨粒为二氧化硅磨料。

10.如权利要求6所述的硅晶圆的研磨方法，其中该研磨磨粒为二氧化硅磨粒。

11.如权利要求7所述的硅晶圆的研磨方法，其中该研磨磨粒为二氧化硅磨料。