[发明专利]用于模拟输入缓冲器的负载电流补偿

权利要求书

1.一种输入缓冲器，包括：

第一晶体管(Q₁)，其具有耦合到电源节点的集电极端子和耦合到第一输入节点(v_inp)的基极端子；

第二晶体管(Q₂)，其具有耦合到所述第一晶体管(Q₁)的发射极端子的集电极端子；

第三晶体管(Q₃)，其具有耦合到所述第二晶体管(Q₂)的发射极端子和接地节点的发射极端子，耦合到电流源(I_bias)的集电极端子，以及耦合到所述集电极端子和所述第二晶体管(Q₂)的基极端子的基极端子；以及

电容器(C₁)，其耦合到所述第二和第三晶体管(Q₂和Q₃)的所述基极端子和第二输入节点(v_inn)，其中所述第一和第二输入节点(v_inp和v_inn)是差分输入。

2.根据权利要求1所述的输入缓冲器，其中在所述第一晶体管(Q₁)的所述发射极端子和所述第二晶体管(Q₂)的所述集电极端子之间的输出节点(v_op)耦合到模数转换器即ADC的输入。

3.根据权利要求2所述的输入缓冲器，其中所述输出节点(v_op)耦合到所述模数转换器即ADC的采样和保持电容器(C_L)。

4.根据权利要求3所述的输入缓冲器，其中所述第二晶体管(Q₂)具有第一尺寸，所述第三晶体管(Q₃)具有第二尺寸，并且所述第一尺寸和所述第二尺寸之间的比率为n。

5.根据权利要求4所述的输入缓冲器，其中n具有介于2和5之间的值。

6.根据权利要求4所述的输入缓冲器，其中所述采样和保持电容器(C_L)的电容是所述电容器(C₁)的电容的n倍。

7.根据权利要求4所述的输入缓冲器，其中通过所述第一晶体管(Q₁)的电流(I_Q1)是由所述电流源提供的偏置电流(I_bias)的n倍。

8.一种差分输入缓冲器，包括：

第一发射极跟随器晶体管(Q_1S)，其具有耦合到电源节点的集电极端子、耦合到第一差分输入节点(v_inp)的基极端子，以及耦合到第一电流源(I_bias2)的发射极端子；

第一晶体管(Q₁)，其具有耦合到所述电源节点的集电极端子，以及耦合到所述第一发射极跟随器晶体管(Q_1S)的所述基极端子和所述第一差分输入节点(v_inp)的基极端子；

第二晶体管(Q₂)，其具有耦合到所述第一晶体管(Q₁)的发射极端子的集电极端子；

第三晶体管(Q₃)，其具有耦合到所述第二晶体管(Q₂)的发射极端子和接地节点的发射极端子，耦合到第二电流源(I_bias)的集电极端子，以及耦合到所述集电极端子和所述第二晶体管(Q₂)的基极端子的基极端子；以及

电容器(C₁)，其耦合到所述第二和第三晶体管(Q₂和Q₃)的所述基极端子和第一输入节点(v_onx)。