[发明专利]可简单制造的电子元器件和制造电子元器件的方法

权利要求书

1.一种电子元器件(B)，其包含：

-具有至少一个聚合层(TSO)的载体衬底(TS)；

-第一芯片(CH1)，其在下侧面上具有连接结构(VBS)并且在下侧面上具有金属布线结构(VSS)，

其中

-所述第一芯片(CH1)被排布在所述载体衬底(TS)上；

-所述连接结构(VBS)平放在所述聚合层(TSO)上或者嵌入所述聚合层(TSO)中，但并不穿透所述聚合层；且

-所述布线结构(VSS)穿透所述聚合层(TSO),以及

-在所述第一芯片(CH1)和所述载体衬底(TS)之间的间隙，其中在所述第一芯片(CH1)的所述下侧面上排布有敏感结构(BES)，所述敏感结构(BES)不接触所述载体衬底(TS)，

-第二芯片(CH2)，其排布在所述载体衬底(TS)上的所述第一芯片(CH1)旁边且与所述第一芯片(CH1)电连接，

-其中所述第一芯片(CH1)或所述第二芯片(CH2)是传感器芯片并且排布在盖子(D)下方；

-其中所述传感器芯片通过所述盖子(D)中的洞口(L)与所述元器件(B)的周围环境相连，且

-在所述盖子(D)下方形成有背部体积(RV),且

其中所述电子元器件还包含暴露在所述载体衬底(TS)的上侧面上的电路导体(SL)，其采用这样的设置，即通过接插连接与外部电路环境相连和互连。

2.根据权利要求1所述的电子元器件，其中所述第一芯片(CH1)从以下芯片中选出：MEMS芯片、NEMS芯片、IC芯片、光电子学芯片、执行器芯片、只包含无源电路元件的芯片。

3.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其中所述载体衬底(TS)还包含分层结构(TSU)，其从以下层中选出：电路板、有机承载箔、无机承载箔、单晶衬底、多晶衬底、半导体衬底、陶瓷衬底、玻璃衬底。

4.根据权利要求3所述的电子元器件，其中所述分层结构(TSU)从以下层中选出：SESUB、LTCC衬底、HTCC衬底和金属箔。

5.根据权利要求1所述的电子元器件，其中间隙在侧面通过在所述第一芯片的下侧面上构成框架(R)的所述连接结构(VBS)限定，并且所述第一芯片(CH1)、所述框架(R)和所述载体衬底(TS)围成了中空腔(H)。

6.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其中

-所述连接结构(VBS)具有聚合物、Cu、Al、Ag和Au作为主要组成部分；以及

-所述布线结构(VSS)具有Cu、Al、Ag和Au作为主要组成部分。

7.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其中所述布线结构(VSS)包含

-隆起的连接结构。

8.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其中所述布线结构(VSS)包含：

-金属柱体,或

-穿透所述第一芯片(CH1)和/或所述载体衬底(TS)的内层连接。

9.根据权利要求1或2所述的元器件，其中所述连接结构(VBS)包含具有圆形或长方形横截面的支管或支撑性框架(R)。

10.根据权利要求1或2所述的电子元器件，其还包含：

-封装物，其具有薄板、模制材料(VM)、通过挤压方法布置的材料或位于所述第一芯片(CH1)上方的箔片(F)，和/或

-填充材料(UF)，其直接排布在所述载体衬底的区域上并且填充芯片材料和所述载体衬底(TS)之间的间隙。

11.根据上述权利要求1或2所述的电子元器件，其还包含位于所述第一芯片(CH1)之上的由金属构成的覆盖分层结构。

12.根据权利要求1所述的电子元器件，

-其中所述元器件是麦克风；以及

-所述传感器芯片包含电声转换结构。