[发明专利]磁传感器及其制造方法以及使用该磁传感器的电流量检测器

权利要求书

1.一种磁传感器，其特征在于，

所述磁传感器具备：

基板，其包含一个主面；

形成在所述主面上且与全桥电路的电源端子连接的至少两个磁阻效应元件；

形成在所述主面上且与所述全桥电路的接地端子连接的至少两个磁阻效应元件；

第一区域，其配置有与所述电源端子连接的至少两个磁阻效应元件的一方以及与所述接地端子连接的至少两个磁阻效应元件的一方；

第二区域，其配置有与所述电源端子连接的至少两个磁阻效应元件的另一方以及与所述接地端子连接的至少两个磁阻效应元件的另一方；以及

偏置线圈，其包括向所述第一区域施加偏置磁场的第一偏置施加部以及向所述第二区域施加偏置磁场的第二偏置施加部，

与所述电源端子连接的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同，

与所述接地端子连接的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同，

所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积之差为35.4％以下，

所述偏置线圈还包含偏置线圈迂回部，

所述偏置线圈迂回部的截面积大于第一偏置施加部的截面积以及第二偏置施加部的截面积中的任一截面积，

所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积之差通过如下方式得到：用所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积的差值除以所述第一偏置施加部的截面积与所述第二偏置施加部的截面积的平均。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一偏置施加部的膜厚与所述第二偏置施加部的膜厚之差为17.7％以下，

所述第一偏置施加部的膜厚与所述第二偏置施加部的膜厚之差通过如下方式得到：用所述第一偏置施加部的膜厚与所述第二偏置施加部的膜厚的差值除以所述第一偏置施加部的膜厚与所述第二偏置施加部的膜厚的平均。

3.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

从所述第一区域中的所述磁阻效应元件到所述第一偏置施加部的距离与从所述第二区域中的所述磁阻效应元件到所述第二偏置施加部的距离之差为5.78％以下，

从所述第一区域中的所述磁阻效应元件到所述第一偏置施加部的距离与从所述第二区域中的所述磁阻效应元件到所述第二偏置施加部的距离之差通过如下方式得到：用从所述第一区域中的所述磁阻效应元件到所述第一偏置施加部的距离与从所述第二区域中的所述磁阻效应元件到所述第二偏置施加部的距离的差值除以从所述第一区域中的所述磁阻效应元件到所述第一偏置施加部的距离与从所述第二区域中的所述磁阻效应元件到所述第二偏置施加部的距离的平均。

4.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

所述第一偏置施加部的膜厚与所述第二偏置施加部的膜厚之差为3.0％以下。

5.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

配置于所述第一区域的两个磁阻效应元件串联地连接，

配置于所述第二区域的两个磁阻效应元件串联地连接，

形成于所述第一区域的两个磁阻效应元件的磁敏方向相反，

以及形成于所述第二区域的两个磁阻效应元件的磁敏方向相反。

6.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

配置于所述第一区域且与电源端子连接的一方的磁阻效应元件和配置于所述第二区域且与接地端子连接的另一方的磁阻效应元件串联地连接，

配置于所述第一区域且与接地端子连接的一方的磁阻效应元件和配置于所述第二区域且与电源端子连接的另一方的磁阻效应元件串联地连接，

配置于所述第一区域的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同，

配置于所述第二区域的两个磁阻效应元件的磁敏方向相同。

7.根据权利要求1或2所述的磁传感器，其特征在于，

所述磁传感器还包含反馈电路，

所述反馈电路基于由所述磁阻效应元件检测到的磁场强度，产生将所述检测到的磁场强度抵消的反馈磁场。