[发明专利]太阳能单电池和太阳能电池组件

说明书

太阳能单电池(16)包括：n型单晶硅基片(22)；配置在n型单晶硅基片(22)的第1主面上的n型非晶硅层(26)；配置在n型非晶硅层(26)上的受光面电极(28)；配置在n型单晶硅基片(22)的第2主面上的p型非晶硅层(32)；和配置在p型非晶硅层(32)上的背面电极(34)，n型单晶硅基片(22)具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。能够在n型单晶硅基片(22)与n型非晶硅层(26)之间设置i型非晶硅层(24)，在n型单晶硅基片(22)与p型非晶硅层(32)之间设置另一i型非晶硅层(30)。

技术领域

本发明涉及太阳能单电池和太阳能电池组件。

背景技术

太阳能单电池具有形成有pn结的半导体基片，是将由入射光在半导体基片内生成的载流子通过pn结分离为空穴和电子从而输出光电动势的器件。在半导体基片的表面和内部存在再结合中心。由此，通过入射光生成的载流子再结合而消灭，太阳能单电池的输出特性降低。

专利文献1记载有：关于在n型单晶硅基片和n型单晶硅基片与受光面电极之间依次设置i型非晶硅层(i型a-Si层)和n型非晶硅层(n型a-Si层)，在n型单晶硅基片与背面电极之间依次设置i型非晶硅层(i型a-Si层)和p型非晶硅层(p型a-Si层)的光电动势元件(光伏元件)，在将p型a-Si层设置在背面侧的情况下，即使在增厚p型a-Si层的情况下受光量也不被限制，由此光电动势元件的输出特性提高。另外，通过增厚与背面侧p型a-Si层相接的i型a-Si层的厚度，能够防止晶体基片的表面能级导致的载流子再结合。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2006-237452号公报

发明内容

发明要解决的课题

在太阳能电池组件中，要求抑制因载流子的再结合导致的输出特性的降低。

用于解决课题的方法

本发明的太阳能单电池包括：n型晶体半导体基片；配置在n型晶体半导体基片的第1主面上的n型非晶半导体层；配置在n型非晶半导体层上的受光面电极；配置在n型晶体半导体基片的第2主面上的p型非晶半导体层；和配置在p型非晶半导体层上的背面电极，n型晶体半导体基片具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率。

本发明的太阳能电池组件通过将本发明的太阳能单电池以规定的数量相互串联连接而构成。

发明的效果

在晶体半导体基片中，电阻率越高，晶体内部的杂质能级导致的载流子的再结合越少。根据实验，短路电流值，在n型晶体半导体基片的电阻率低于3.5Ωcm时不均，在3.5～13Ωcm的范围内为稳定且高的值。

根据上述结构，n型晶体半导体基片具有3.5～13Ωcm的范围的电阻率，所以能够减少太阳能单电池中的输出特性的偏差，因此，在太阳能电池组件中，能够抑制输出特性的降低。

附图说明

图1是本发明的实施方式的太阳能电池组件的结构图。

图2是本发明的实施方式的太阳能单电池的截面图。

图3是图1的A部中的截面图。图3的(a)是整体图，(b)是部分放大图。

图4是表示本发明的实施方式的太阳能单电池中的载流子的再结合的示意图。

图5是表示在本发明的实施方式的太阳能单电池中，标准化的短路电流值I_SC与n型单晶硅基片的电阻率的关系的图。

图6是表示在本发明的实施方式的太阳能单电池中，标准化的开路电压值V_OC与n型单晶硅基片的电阻率的关系的图。