[发明专利]高压半导体设备

权利要求书

1.一种高压半导体设备，包括：

第二导电类型的半导体基底；

所述第二导电类型的半导体漂移区域，所述半导体漂移区域被设置在所述半导体基底上，所述半导体基底区域具有比所述漂移区域更高的掺杂浓度；

第一导电类型的半导体区域，所述第一导电类型与所述第二导电类型相反,所述半导体区域形成在所述设备的表面上并且在所述半导体漂移区域内，所述半导体区域具有比所述漂移区域更高的掺杂浓度；以及

所述第一导电类型的横向延伸部，所述横向延伸部从所述半导体区域横向延伸到所述漂移区域中，所述横向延伸部与所述设备的表面间隔开。

2.如权利要求1所述的设备，还包括位于所述半导体基底和所述半导体漂移区域之间的所述第二导电类型的第一半导体区域。

3.如权利要求1或2所述的设备，其中，所述漂移区域内的所述半导体区域是第二半导体区域。

4.如上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述横向延伸部与所述设备的所述表面垂直间隔开。

5.如上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述整个横向延伸部与所述设备的所述表面垂直间隔开。

6.如权利要求3、4或5所述的设备，其中，所述横向延伸部仅从所述第二半导体区域的较深部分横向延伸。

7.如权利要求3至6中任一项所述的设备，其中，所述横向延伸部的掺杂浓度低于所述第二半导体区域的掺杂浓度。

8.如上述权利要求中任一项所述的设备，还包括可操作地连接到所述基底的第一欧姆接触和形成在所述第二半导体区域上的第二欧姆接触。

9.如权利要求8所述的设备，还包括在所述漂移区域上从所述第二欧姆接触延伸的场板。

10.如权利要求9所述的设备，其中，所述横向延伸部朝向所述场板延伸进入所述漂移区域中。

11.如上述权利要求中任一项所述的设备，其中，所述设备是垂直PIN二极管。

12.如上述权利要求中任一项所述的设备，还包括至少一个所述第一导电类型的浮动保护环,所述浮动保护环与所述漂移区域内的所述第一导电类型的高掺杂半导体区域横向间隔开。

13.如权利要求12所述的设备，还包括所述第一导电类型的横向延伸部,所述横向延伸部从所述至少一个保护环横向延伸到所述漂移区域中。

14.如权利要求11、12或13所述的设备，其中，所述设备是终端结构。

15.如上述权利要求1至8中任一项所述的设备，还包括肖特基金属接触,所述肖特基金属接触直接形成在所述设备的所述表面上的所述半导体漂移区域上。

16.如权利要求15所述的设备，其中，所述横向延伸部朝所述肖特基金属接触横向延伸。

17.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底、所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括单晶硅材料。

18.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底、所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括4H-SiC。

19.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底包括单晶硅材料，并且所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括3C-SiC。

20.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底、所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括GaN。

21.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底包括单晶硅材料，并且所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括GaN。

22.如上述权利要求2至16中任一项所述的设备，其中，所述半导体基底包括SiC材料，并且所述第一半导体区域、所述漂移区域、所述第二半导体区域和所述横向延伸部各自包括GaN。